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à résistance variable
a voltage limiting active element which is connected in series to the resistance-variable element
un élément actif de limitation de tension qui est connecté en série à l'élément à résistance variable
The transparent resistance-variable material layer has switching characteristics as a result of the resistance variance caused by the application of a certain voltage between the lower and upper transparent electrode layers.
La couche de matériau transparent à résistance variable présente des caractéristiques de commutation dues à la variation de résistance produite par l'application d'une certaine tension entre les couches d'électrode transparentes inférieure et supérieure.
Disclosed are a resistance-variable memory device including a carbide-based solid electrolyte membrane that has stable memory at a high temperature and a manufacturing method thereof.
La présente invention concerne un dispositif de mémoire à résistance variable comprenant une membrane d'électrolyte solide à base de carbure qui présente une mémoire stable à une température élevée, ainsi qu'un procédé de fabrication correspondant.
and a current limiting active element which is connected in series to the resistance-variable element via the voltage limiting active element
et un élément actif de limitation de courant qui est connecté en série à l'élément à résistance variable par l'intermédiaire de l'élément actif de limitation de tension
a resistance-variable element which changes to a high-resistance state when a first voltage is applied and which changes to a low-resistance state when a second voltage is applied
un élément à résistance variable qui change à un état de résistance élevée lorsqu'une première tension est appliquée et qui change à un état de résistance faible lorsqu'une seconde tension est appliquée
The resistance-variable memory device includes: a lower electrode, the carbide-based solid electrolyte membrane arranged on the lower electrode, and an upper electrode arranged on the solid electrolyte membrane.
Le dispositif de mémoire à résistance variable comprend une électrode inférieure, la membrane d'électrolyte solide à base de carbure disposée sur l'électrode inférieure, et une électrode supérieure ménagée sur la membrane d'électrolyte solide.
The transparent memory includes: a lower transparent electrode layer that is sequentially formed on a transparent substrate, and a data storage region and an upper transparent layer which are made of at least one transparent resistance-variable material layer.
La mémoire transparente comprend : une couche d'électrode inférieure transparente qui est formée de manière séquentielle sur un substrat transparent, et une zone de stockage de données et une couche supérieure transparente constituées d'au moins une couche de matériau transparent à résistance variable.
a resistance-variable storage device includes
un dispositif de stockage à résistance variable qui comprend
In the present invention, each cell (10) is provided with one or more transistors (101,111), one or more resistance-variable elements (100), and one heating device (250).
Selon la présente invention, chaque cellule (10) comporte un ou plusieurs transistors (101,111), un ou plusieurs éléments à résistance variable (100), et un dispositif de chauffage (250).
An optical band gap of the transparent resistance-variable material layer is 3 eV or more, and transmittivity of the material layer for visible rays is 80% or more.
Une largeur de bande optique de la couche de matériau transparent à résistance variable est égale ou supérieure à 3 eV et la transmittivité de la couche de matériau pour le rayonnement visible est égale ou supérieure à 80 %.
RESISTANCE-VARIABLE MEMORY DEVICE INCLUDING CARBIDE-BASED SOLID ELECTROLYTE MEMBRANE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
DISPOSITIF DE MÉMOIRE À RÉSISTANCE VARIABLE COMPRENANT UNE MEMBRANE D'ÉLECTROLYTE SOLIDE À BASE DE CARBURE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT
method for initializing resistance-variable material, memory device containing a resistance-variable material, and method for initializing nonvolatile memory circuit including variable resistor
procédé d'initialisation d'un matériau à résistance variable, dispositif à mémoire contenant un matériau à résistance variable, et procédé d'initialisation de circuit à mémoire non volatile comprenant une résistance variable
The resistance-variable layer contains an oxygen-deficient hafnium oxide.
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