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in order to measure and/or to determine the quality of the respective memory cell
afin de mesurer et/ou de déterminer la qualité de la cellule de mémoire
in particular in order to measure and/or to determine the prospective endurance specified according to a number of change cycles which the respective memory cell
respective, notamment afin de mesurer et/ou de déterminer l'endurance présumée spécifiée en fonction d'un nombre de cycles de changement que la cellule de mémoire
a plurality of flags are formed so as to correspond to respective memory cell groups, each consisting of a plurality of volatile memory cells
une pluralité de drapeaux sont formés de façon à correspondre à des groupes de cellules de mémoire respectifs, correspondant chacun à une pluralité de cellules de mémoire volatile
at each of the foregoing pixel data positions where the plot points are formed, the value of a respective memory cell in the memory area is converted from a value'0'to a value'1', based on a number that identifies a micro-mirror
a chacune des positions de données de pixels précédentes où sont formés les points de traçage, la valeur d'une cellule de mémoire respective de la zone de mémoire est convertie d'une valeur'0'à une valeur'1', sur la base d'un nombre qui identifie un micro-miroir
the systems and methodologies provided herein reduce this non-uniformity in operation speed by providing compensated voltage levels to memory cells in a memory array based at least in part on the location of each respective memory cell
les systèmes et méthodologies proposés ici réduisent cette non uniformité dans la vitesse de fonctionnement en fournissant des niveaux de tension compensés aux cellules de mémoire dans un réseau de mémoire sur la base, au moins en partie, de l'emplacement de chaque cellule de mémoire respective.
a semiconductor device and a control method of the semiconductor device comprising bit lines (BL) each connected to a respective memory cell
un dispositif à semi-conducteurs et un procédé de commande du dispositif à semi-conducteurs comportant des lignes de bits (BL) chacune reliée à une cellule de mémoire respective
the levels (e, NE) of a respective memory cell (SZ) are selectively defined as valid or invalid depending on a required security level.
les niveaux (e, NE) de chaque cellule de mémoire (SZ) sont déterminés sélectivement comme valides ou invalides en fonction d'un niveau de sécurité exigé.
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