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ladite couche d'arrêt de gravure
A thin film deposition technique is used to produce a structural layer on an opposite side of said etch stop layer than said carrier.
On utilise une technique de dépôt de film fin pour produire une couche structurelle sur la face de ladite couche d'arrêt de gravure opposée à celle en contact avec ledit substrat.
A blank containing at least a part of each of said carrier, said etch stop layer, and said solid layer is attached to a radiation window frame.
Une ébauche contenant au moins une partie de chacun dudit support, ladite couche d'arrêt de gravure et ladite couche solide est fixée à un cadre de fenêtre de rayonnement.
The combined structure comprising said carrier, said etch stop layer, and said structural layer is attached to a region around an opening in a support structure with said structural layer facing said support structure.
La structure combinée comprenant ledit substrat, ladite couche d'arrêt de gravure et ladite couche structurelle est fixée à une région autour d'une ouverture d'une structure de support avec ladite couche structurelle faisant face à ladite structure de support.
for detecting the properties of a fluid and/or for activating said fluid and provided on a first side of said etch stop layer;-and means
de détection de propriétés d'un fluide et/ou d'activation de ce fluide, réalisés sur un premier côté de ladite couche d'arrêt de gravure,-des moyens
removing the sacrificial layer in at least a contact region of the device using an etch procedure selective against the etch stop layer to expose said etch stop layer in the contact region
supprimer la couche sacrificielle dans au moins une zone de contact du dispositif, au moyen d'une attaque chimique sélective par rapport à la couche d'arrêt d'attaque chimique, pour exposer ladite couche d'arrêt d'attaque chimique dans la zone de contact
forming a sacrificial layer over said etch stop layer, said etch stop layer having a substantially lower etch rate than said sacrificial layer when exposed to predetermined etch conditions
former une couche sacrificielle sur cette couche d'arrêt d'attaque chimique, qui présente un taux d'attaque chimique sensiblement inférieur à celui de la couche sacrificielle à des conditions d'attaque chimique prédéterminées
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