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second type de conductivité
and ions of a second conductivity-type are then implanted into a third portion
A transparent electrode layer including a concave portion and a convex portion is arranged on the second conductivity-type semiconductor layer.
Une couche d'électrode transparente comprenant une partie concave et une partie convexe est disposée sur la couche semi-conductrice du second type de conductivité.
Two second electrode pads are located near opposite distal ends of the second side edge to supply electric current to the second conductivity-type semiconductor layer.
Deux secondes zones d'électrode sont disposées au voisinage d'extrémités distales opposées du second bord latéral de façon à délivrer un courant électrique à la couche semi-conductrice du second type de conductivité.
the p + region is formed on the substrate, and the conductive impurity concentration of a second conductivity-type different from the first conductivity type is 1× 1020 cm -3 or more but not more than 5× 1021 cm -3.
la région p + est formée sur le substrat, et la concentration d'impuretés conductrices d'un second type de conductivité différent du premier type de conductivité est de 1 × 1020 cm -3 ou plus et de 5 × 1021 cm -3 au maximum.
Furthermore, a part of the first electrode (17A) is formed above the second conductivity-type nitride semiconductor layer (124) with the first protection film (15) therebetween.
De plus, une partie de la première électrode (17A) est formée au-dessus de la couche de semi-conducteur nitrure du second type de conductivité (124), le premier film de protection (15) étant disposé entre celles-ci.
The Schottky interface region on the semiconductor deposition film is surrounded by the second conductivity-type region and constitutes a plurality of island regions at regular intervals.
La région d'interface Schottky sur le film de dépôt de semi-conducteur est entourée par la région du second type de conductivité et constitue une pluralité de régions d'îlots à des intervalles réguliers.
In the semiconductor device, the diode region is provided with a second conductivity-type cathode layer.
Dans le dispositif semi-conducteur, la région de diode comporte une couche de cathode de type seconde conductivité.
The first conductivity-type regions and the second conductivity-type regions are alternately arranged.
Les régions d'un premier type de conductivité et les régions d'un second type de conductivité sont agencées de manière alternative.
The compound semiconductor light emitting element further comprises a first conductivity-type transparent electrode and a second conductivity-type electrode.
L'élément électroluminescent à semi-conducteur composé comprend en outre une première électrode transparente à type de conductivité et une seconde électrode à type de conductivité.
The substrate (10) is formed of a wide-gap semiconductor material, has a main surface (10a), and includes a first conductivity-type region (17) and a second conductivity-type region (15).
Le substrat (10) est formé d'un matériau semi-conducteur à large bande interdite, a une surface principale (10a) et comprend une zone d'un premier type de conductivité (17) et une zone d'un second type de conductivité (15).
In the peripheral region (2), a second conductivity-type layer (7) is disposed on a super-junction structure.
Dans la région périphérique (2), une seconde couche de type conductrice (7) est disposée sur une structure à superjonction.
This semiconductor light emitting device has, on a substrate, a first conductivity-type cladding layer formed of a III-V mixed crystal semiconductor, an active layer, and a second conductivity-type cladding layer.
Ce dispositif électroluminescent à semiconducteur comprend, sur un substrat, une couche d'enrobage d'un premier type de conductivité constituée d'un semiconducteur cristallin mélangé III-V, une couche active et une couche d'enrobage d'un deuxième type de conductivité.
This semiconductor integrated circuit device has a CMOS structure that includes a first conductivity-type MOSFET and a second conductivity-type MOSFET.
L'invention porte sur un dispositif de circuit intégré à semi-conducteur qui possède une structure CMOS qui comprend un transistor MOSFET d'un premier type de conductivité et un transistor MOSFET d'un second type de conductivité.
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Synoniemen voor second conductivity-type in het Engels