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seconde matrice de mémoire
deuxième bloc de mémoire
deuxième matrice mémoire
from the corresponding address locations of the second memory array
a switching unit is used to removably connect the address locations of the first memory array to corresponding address locations of second memory array in order to produce a first memory array having redundant address locations
un commutateur assure la connexion momentanée des emplacements mémoire de la première matrice de mémoire avec les emplacements mémoire correspondants de la seconde matrice de mémoire de façon à réaliser une première matrice de mémoire comportant des emplacements mémoire redondants
the defective bit lines in first memory array can be disabled during the soft program and replaced by corresponding redundant bit lines disposed in second memory array, so that the soft program is not applied to the defective bit lines
les lignes de bits défectueuses dans une première matrice de mémoire peuvent être invalidées pendant le programme souple et remplacées par des lignes de bits redondantes correspondantes disposées dans une seconde matrice de mémoire, de manière que le programme souple ne soit pas appliqué aux lignes de bits défectueuses
a second memory array stores input data indicating particular ones of the switch arrays to be enabled
une deuxième batterie de mémoires stocke des donnés d'entrée indiquant quelle batterie de commutateur doit recevoir un signal d'autorisation
and to cause the in-circuit programming to execute the in-circuit programming set from the second memory array to program the non-volatile memory cells of the first memory array with data from the external port.
et faire exécuter par la programmation en-circuit le jeu d'instructions de programmation en-circuit à partir du deuxième bloc de mémoire pour programmer les cellules de mémoire rémanente du premier bloc de mémoire, au moyen de données provenant d'un point de connexion externe.
The second memory array (3b) has second memory cells each including a magnetic resistance element and a write wiring used for write different from that of the first memory array (3a).
La deuxième matrice mémoire (3b) possède les deuxièmes cellules mémoire incluant chacune un élément à résistance magnétique et un câblage d'écriture employé pour une écriture différente de celle de la première matrice mémoire (3a).
A toggle magnetic random access memory comprises a first memory array (3a), a second memory array (3b), and a controller (2).
La mémoire à accès aléatoire magnétique à bascule comprend une première matrice mémoire (3a), une deuxième matrice mémoire (3b) et un contrôleur (2).
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