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second p-type semiconductor layer
Vertaling van "second p-type semiconductor layer" in Frans
seconde couche semi-conductrice de type p
the second p-type semiconductor layer has graded doping along the path of the carriers
la seconde couche semi-conductrice de type p présente un dopage graduel le long du chemin des porteurs de charge
are formed on a substrate in this order, and a second crystal growing step wherein a second p-type semiconductor layer composed of a gallium nitride compound semiconductor is further formed thereon
dans cet ordre, sur un substrat et une seconde étape de croissance cristalline dans laquelle on forme par-dessus une seconde couche de semi-conducteur de type p faite d'un composé semi-conducteur de nitrure de gallium
and a second i-type semiconductor layer and a second n-type semiconductor layer which configure the second photoelectric conversion layer are formed on the second p-type semiconductor layer which has been exposed to the atmosphere.
et une seconde couche semi-conductrice de type i, et une seconde couche semi-conductrice de type n qui configure la seconde couche de conversion photoélectrique, sont réalisées sur la seconde couche semi-conductrice de type p qui a été exposée à l'atmosphère.
a second photoelectric conversion layer for performing photoelectric conversion, wherein a second p-type semiconductor layer, a second i-type semiconductor layer and a second n-type semiconductor layer are sequentially laminated from the first electrode layer side
une seconde couche de conversion photoélectrique pour effectuer une conversion photoélectrique, dans laquelle une seconde couche semi-conductrice de type p, une seconde couche semi-conductrice de type i et une seconde couche semi-conductrice de type n sont séquentiellement stratifiées à partir du côté première couche d'électrode
The second p-type semiconductor layer is sandwiched between the first p-type semiconductor layer and the n-type semiconductor layer, and the first p-type semiconductor layer, the second p-type semiconductor layer and the n-type semiconductor layer form a tunnel junction whereupon a reverse bias is applied.
La seconde couche semi-conductrice de type p est intercalée entre la première couche semi-conductrice de type p et la couche semi-conductrice de type n, les trois couches formant une jonction de tunnel soumise à une polarisation inverse.
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