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In another exemplary embodiment, the second passivation layer also contacts the second electrode, a portion of which is also exposed through the opening.
Dans un autre mode de réalisation caractéristique, la deuxième couche de passivation touche également la deuxième électrique dont une partie est également apparente au travers de l'ouverture.
A second passivation layer is formed on the redistribution interconnect to prevent thermomechanical degradation and improve electromigration performance.
Une seconde couche de passivation est formée sur l'interconnexion de redistribution pour éviter une dégradation thermomécanique et améliorer une performance d'électromigration.
The device further includes a second passivation layer overlaying the first passivation layer.
Le dispositif comprend en outre une seconde couche de passivation recouvrant la première couche de passivation.
A dielectric layer is formed on the second passivation layer and a die-side bump is formed on the dielectric layer.
Une couche diélectrique est formée sur la seconde couche de passivation et une bosse côté puce sur la couche diélectrique.
A second via formed through the dielectric layer and through the second passivation layer electrically couples the die-side bump to the redistribution interconnect.
Une seconde traversée formée à travers la couche diélectrique et à travers la seconde couche de passivation couple électriquement la bosse côté puce à l'interconnexion de redistribution.
a second passivation layer overlies the second circuit portion, but not the resistive heater elements.
une seconde couche de passivation recouvre la seconde partie de circuit, mais pas les éléments chauffants résistifs.
The solar cell includes an emitter, a base, a first passivation layer adjacent the emitter, and a second passivation layer adjacent the base.
La cellule solaire comprend un émetteur, une base, une première couche de passivation adjacente à l'émetteur, et une seconde couche de passivation adjacente à la base.
Further, a second passivation layer is formed, which substantially covers the sidewalls of multilayer structure and part of the surface of the second doped semiconductor layer which is not covered by the second electrode.
En outre, une seconde couche de passivation est formée, qui couvre sensiblement les parois latérales de la structure multicouche et une partie de la surface de la seconde couche semi-conductrice dopée qui n'est pas couverte par la seconde électrode.
One or more of the first passivation layer and the second passivation layer is charged to a predetermined polarity, wherein the charging includes applying a direct current voltage pulse to the electrode for a predetermined period of time.
Une ou plusieurs parmi la première couche de passivation et la seconde couche de passivation est chargée à une polarité prédéterminée, le chargement comprenant l'application d'une impulsion de tension à courant continu sur l'électrode pendant une période de temps prédéterminée.
according to the present invention, the conventional second passivation layer is not required. methods for forming the various structures are also presented.
selon l'invention, la deuxième couche de passivation traditionnelle n'est pas requise. la présente invention se rapporte en outre à des procédés pour former différentes structures.
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