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selectively etch
Vertaling van "selectively etch" in Frans
graver de manière sélective
graver sélectivement
attaquer sélectivement
The process can be used to selectively etch a hydrogenated silicon carbide etch stop layer or silicon carbide substrate.
Ledit procédé peut être utilisé pour graver de manière sélective une couche d'arrêt de gravure en carbure de silicium hydrogéné ou un substrat en carbure de silicium.
The next step is then exposing the substrate to the second plasma region to selectively etch the silylatable material that is directly exposed to the plasma.
Le procédé consiste ensuite à exposer le substrat à la seconde zone de plasma pour graver de manière sélective la matière silylable qui est directement exposée au plasma.
a step can be performed to selectively etch through the capping layer and the first portion of the semiconductor active layer to thereby expose the sacrificial layer
on peut effectuer une étape consistant à graver sélectivement à travers la couche de revêtement et la première partie de la couche active semi-conductrice pour exposer ainsi la couche sacrificielle
A method and apparatus to selectively etch layers of various materials from the edge and bevel areas of the active side of a silicon wafer, as well as from the inactive side of a wafer are disclosed.
L'invention porte sur un procédé et un appareil qui permettent de graver sélectivement dans des couches de divers matériaux sur les zones de bord et de biseau de la surface active d'une tranche de silicium, et de la surface inactive également.
A gallium nitride film can be a dislocation free single crystal, which can be prepared by irradiating a surface of a substrate and contacting the surface with an etching solution that can selectively etch at dislocations.
L'invention concerne un film de nitrure de gallium pouvant être un monocristal exempt de dislocation, lequel peut être préparé par application de rayons sur une surface d'un substrat et mise en contact de la surface avec une solution d'attaque qui peut attaquer sélectivement les dislocations.
the structured films can further serve as masks which make it possible to selectively etch the substrate and to transfer such a structure, said structure given by the film, to the substrate.
en outre, les films structurés peuvent servir de masques permettant d'attaquer sélectivement le substrat et ainsi, de transférer dans le substrat une structure prédéterminée par le film.
then, an etch step is used to selectively etch the gate structure and this is followed by forming a drain region by implantation
ensuite, une étape de gravure est utilisée pour graver de manière sélective la structure de grille puis pour former une région de drain par implantation
The composite water is treated to an aqueous etchant maintained below ambient temperatures to selectively etch the sacrificial porous silicon and release or undercut the silicon-based layer from the single crystal silicon wafer.
La tranche composite est traitée par un agent de gravure aqueux conservé sous la température ambiante pour graver de manière sélective le silicium poreux sacrificiel et libérer ou réaliser une gravure sous-jacente de la couche à base de silicium à partir de la tranche de silicium monocristalline.
According to the present invention, a substrate having silicon nitride and silicon oxide on the substrate is cleaned using a cleaning fluid in order to selectively etch the silicon nitride using cleaning fluid.
Selon la présente invention, un substrat ayant du nitrure de silicium et de l'oxyde de silicium sur le substrat est nettoyé à l'aide d'un fluide de nettoyage afin de graver de manière sélective le nitrure de silicium à l'aide du fluide de nettoyage.
and conducting half-etching with a second etching liquid which can selectively etch only the light shielding film without etching the semi-light-transparent film.
et à effectuer un demi gravure à l'aide d'un second liquide de gravure qui peut graver de manière sélective uniquement le film protégeant de la lumière sans graver le film semi-transparent à la lumière.
An apparatus and method used to selectively etch materials from the edge and bevel areas of a silicon wafer are provided.
L'invention concerne un dispositif et un procédé utilisés pour graver de manière sélective des matériaux situés dans les zones de bordure et de biseau d'une tranche de silicium.
A step is performed to selectively etch through the semiconductor active layer and the sacrificial layer in sequence to define an semiconductor-on-insulator (SOI) substrate, which includes a first portion of the semiconductor active layer.
On effectue une étape consistant à graver sélectivement à travers la couche active semi-conductrice et la couche sacrificielle en séquence pour définir un substrat semi-conducteur sur isolant (SOI), comprenant une première partie de la couche active semi-conductrice.
Titanium dioxide material can selectively etch metal nanoparticles through electron transfer with metal Ag nanoparticles in the excited state, and change the optical absorption characteristics of the material, thus the Ag/Tio2 nanomaterials can change color under the light excitation of different wavelengths.
Le dioxyde de titane peut graver sélectivement des nanoparticules métalliques par transfert d'électrons avec des nanoparticules métalliques ag à l'état excité et modifier les caractéristiques d'absorption optique du matériau.
Synoniemen voor selectively etch in het Engels
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