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semiconductor device comprising a substrate
Vertaling van "semiconductor device comprising a substrate" in Frans
dispositif à semi-conducteur comprenant un substrat
this invention relates to an organic semiconductor device comprising a substrate bearing an organic layer sandwiched between electrode structures wherein the organic layer comprises a polymer of general formula
la présente invention concerne un dispositif semi-conducteur organique comprenant un substrat sur lequel est située une couche organique, prise entre des structures d'électrodes et contenant un polymère correspondant à la formule générale
the present invention relates to a method of manufacturing a resonator within a semiconductor device, said semiconductor device comprising a substrate, wherein said method comprises the steps of
la présente invention se rapporte à un procédé de fabrication d'un résonateur dans un dispositif à semi-conducteurs qui comporte un substrat, ledit procédé comportant les étapes consistant à
an exemplary embodiment of the invention is a semiconductor device comprising a substrate of a first conductivity type and a subcollector of a second conductivity type provided on the substrate
dans un mode de réalisation, l'invention consiste en un dispositif à semi-conducteur comprenant un substrat d'un premier type de conductivité et un sous-collecteur d'un second type de conductivité situé sur le substrat
specifically disclosed is a semiconductor device comprising a substrate, a semiconductor chip which is flip-chip mounted on the substrate, and an encapsulation resin layer for sealing the periphery of the semiconductor chip
elle concerne spécifiquement un dispositif semi-conducteur comprenant un substrat, une puce semi-conductrice qui est montée par billes sur le substrat, et une couche de résine d'encapsulation servant à étanchéifier la périphérie de la puce semi-conductrice
the invention relates to a semiconductor device comprising a substrate comprising for instance silicon with thereon a layer comprising at least organic material which contains a passage to the substrate
l'invention concerne un dispositif à semi-conducteur, composé d'un substrat renfermant du silicium par exemple, recouvert d'une couche renfermant au moins une matière organique, ladite couche possédant un passage vers le substrat
the invention further relates to a method of manufacturing a semiconductor device comprising a substrate and an interconnect layer located at a surface of the substrate, the interconnect layer comprising a first wire and a second wire which are located in the interconnect layer.
l'invention concerne aussi un procédé de fabrication de dispositif semiconducteur comprenant un substrat et une couche d'interconnexion située sur une surface du substrat, la couche d'interconnexion comprenant un premier câble et un second câble qui sont situés dans cette couche d'interconnexion.
a semiconductor device comprising a substrate 12 having a first crystal orientation and an insulating layer 40 overlying the substrate 12 is provided
l'invention concerne un dispositif à semi-conducteur comprenant un substrat présentant une première orientation cristalline et une couche isolante recouvrant ce substrat
a semiconductor device comprising a substrate is provided with a first semiconductor element on a first side, of the substrate and with a security coating comprising a matrix, a first filler and a second filler
l'invention se rapporte à un dispositif semi-conducteur comportant un substrat et pourvu d'un premier élément semi-conducteur sur une première face dudit substrat et d'un revêtement de sécurité comprenant une matrice, une première charge et une seconde charge
The invention relates to a tamper-resistant semiconductor device comprising a substrate (5) comprising an electronic circuit arranged on a first side thereof.
L'invention porte sur un dispositif semi-conducteur inviolable comprenant un substrat (5) comprenant un circuit électronique disposé sur un premier côté de celui-ci.
a semiconductor device comprising a substrate of SiC provided with an insulating film through plasma treatment
un dispositif à semi-conducteur qui comprend un substrat de SiC pourvu d'un film isolant obtenu par traitement au plasma
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