Vertaling van "semiconductor memory device" in Frans
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Disclosed is a method for manufacturing a semiconductor memory device wherein consumption power is reduced and variance of element characteristics is suppressed.
La présente invention a trait à un procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire à semi-conducteur dont la consommation d'énergie est réduite et dont l'écart des caractéristiques d'élément est supprimé.
In one embodiment, the techniques may be realized as a semiconductor memory device.
Dans un mode de réalisation particulier à titre d'exemple, les techniques peuvent être réalisées sous la forme d'un dispositif mémoire à semi-conducteur.
The semiconductor memory device may also comprise an array of active pillars formed on the upper layer, and arranged in rows and columns.
Le dispositif mémoire à semi-conducteur peut également comporter un réseau de piliers actifs formés sur la couche supérieure du substrat et agencés en rangées et colonnes.
A semiconductor memory device with information loss self-detect capability
Dispositif de mémoire à semi-conducteurs avec la capacité de détection de perte d'information
a semiconductor memory device comprises a plurality of first row lines arranged in parallel
un dispositif de mémoire à semi-conducteurs qui comprend une pluralité de premières lignes de rangée agencées en parallèle
The semiconductor memory device preferably comprises a first and a second floating gate on top of each other, which are self-aligned with said channel.
Le dispositif de mémoire à semi-conducteurs comprend de préférence des première et seconde grilles flottantes l'une au-dessus de l'autre, qui sont automatiquement alignées avec ledit canal.
The semiconductor memory device has the advantages of small cell area, simple manufacturing process and the like.
Le dispositif de mémoire à semi-conducteurs présente les avantages d'une petite aire de cellule, d'un processus de fabrication simple et similaire.
An embodiment of a semiconductor memory device including a multi-layer charge storing layer and methods of forming the same are described.
La présente invention concerne, selon un mode de réalisation, un dispositif de mémoire à semi-conducteur comprenant une couche de stockage de charge multicouche, et des procédés permettant de le fabriquer.
The semiconductor memory device may comprise a substrate comprising an upper layer, and an array of dummy pillars formed on the upper layer and arranged in rows and columns.
Le dispositif mémoire à semi-conducteur peut également comporter un réseau de piliers factices formés sur la couche supérieure du substrat et agencés en rangées et colonnes.
A data retention period in a semiconductor device or a semiconductor memory device is lengthened.
Cette invention concerne un dispositif à semi-conducteur ou un dispositif de mémoire à semi-conducteur permettant de prolonger la période de conservation des données.
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