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semiconductor structure comprising
Vertaling van "semiconductor structure comprising" in Frans
structure semi-conductrice contenant
structure semi-conductrice comprenant
structure à semi-conducteur comprenant
structure de semi-conducteur comprenant
structure semi-conducteur comprenant
method of manufacturing a semiconductor structure comprising sic on an oxide layer
procédé de fabrication d'une structure semi-conductrice contenant du sic sur une couche d'oxyde
A method of manufacturing a semiconductor structure comprising clusters and/or nanocrystals of silicon is described which are present in distributed form in a matrix of a silicon compound.
L'invention porte sur un procédé de fabrication d'une structure semi-conductrice contenant des agrégats et/ou des nanocristaux de silicium, lesquels sont présents sous forme granuleuse dans une matrice d'un composé de silicium.
The present invention also relates to a semiconductor structure comprising the above semiconductor nanocrystal layer and to processes for preparing the semiconductor nanocrystal layer.
La présente invention concerne également une structure semi-conductrice comprenant la couche de nanocristal semi-conducteur susmentionnée, ainsi que des procédés de préparation de cette couche de nanocristal semi-conducteur.
The present invention relates to a method of growing III-V epitaxial layers on a substrate, a semiconductor structure comprising a substrate, a device comprising such a semiconductor structure, and an electronic circuit.
La présente invention concerne un procédé de croissance de couches épitaxiales III-V sur un substrat, une structure semi-conductrice comprenant un substrat, un dispositif comprenant une telle structure semi-conductrice, et un circuit électronique.
Embodiments of the invention include a semiconductor structure comprising a light emitting layer.
Selon certains modes de réalisation, cette invention comprend une structure à semi-conducteur comprenant une couche électroluminescente.
the invention relates to a semiconductor structure comprising a substrate, a source region which is formed in the substrate, a drain region which is formed in the substrate, and a dopant having a first type of conductivity
l'invention concerne une structure à semi-conducteur comprenant un substrat, une zone de source, formée dans le substrat, et une zone de drain, également formée dans le substrat, ainsi qu'un dopage d'un premier type de conductivité
the invention relates to a method for producing a semiconductor structure comprising a superficial layer, at least one embedded layer, and a support, which method comprises
l'invention concerne un procédé de fabrication d'une structure semi-conductrice contenant une couche superficielle, au moins une couche incrustée et un support, ledit procédé comprenant
METHOD OF FORMING A SEMICONDUCTOR STRUCTURE COMPRISING A FIELD EFFECT TRANSISTOR HAVING A STRESSED CHANNEL REGION
PROCÉDÉ DE FORMATION D'UNE STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE COMPRENANT UN TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP DOTÉ D'UNE RÉGION DE CANAL CHARGÉ
A METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR STRUCTURE COMPRISING CLUSTERS AND/OR NANOCRYSTALS OF SILICON AND A SEMICONDUCTOR STRUCTURE OF THIS KIND
PROCEDE DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE CONTENANT DES AGREGATS ET/OU DES NANOCRISTAUX DE SILICIUM ET STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE AINSI FAITE
thin-layered semiconductor structure comprising a heat distribution layer
structure semiconductrice en couche mince comportant une couche de répartition de chaleur
a semiconductor structure comprising a hyperabrupt junction varactor with a compensated cathode contact as well as a method of fabricating the same are disclosed
l'invention concerne une structure de semi-conducteur comprenant un varactor à jonction hyperabrupte avec contact cathodique compensé, ainsi qu'un procédé de fabrication d'une telle structure
The invention concerns a semiconductor structure comprising at least one first material region and a second material region, whereby the second material region epitaxially surrounds the first material region and forms a boundary surface.
La présente invention concerne une structure à semi-conducteur présentant au moins une première zone de matière et une seconde zone de matière, la seconde zone de matière entourant la première zone de matière de façon épitactique, et formant une surface limite.
the invention relates to a semiconductor structure comprising a substrate and a source region that is formed inside the substrate
l'invention concerne une structure à semi-conducteurs comprenant un substrat et une zone source qui est formée dans le substrat
Synoniemen voor semiconductor structure comprising in het Engels
Woord & uitdrukking van de dag
Afbeelding van de dag
Resultaten: 29. Exact: 29. Verstreken tijd: 43 ms.
