Vertaling van "static etch" in Frans
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The polishing solution has a very high tungsten polishing rate and a very low tungsten static etch rate at the same time.
La solution de polissage présente un taux de polissage du tungstène très élevé ainsi qu'un taux de microdécapage statique du tungstène très faible.
The said polishing liquid possesses a very high tungsten polishing rate and, at the same time, a very low tungsten static etch rate.
Ledit liquide de polissage possède une valeur très élevée de vitesse de polissage du tungstène et, en même temps, une valeur très basse de vitesse de gravure statique du tungstène.
The polishing solution further includes an abrasive material, water, a pH modifier and a static etch rate inhibitor.
La solution de polissage comprend en outre un matériau abrasif, de l'eau, un modificateur de pH et un inhibiteur de vitesse de gravure statique.
A secondary oxidizer lowers the static etch rate of the tungsten CMP solution.
Ladite solution CMP de tungstène présente une vitesse de gravure statique permettant de retirer le métal de tungstène.
A secondary oxidizer lowers the static etch rate of the tungsten CMP solution.
A tungsten CMP solution for planarizing semiconductor wafers includes a primary oxidizer having a sufficient oxidation potential for oxidizing tungsten metal to tungsten oxide; and the tungsten CMP solution has a static etch rate for removing the tungsten metal.
L'invention concerne une solution de polissage chimico-mécanique (CMP) de tungstène permettant d'aplanir des tranches semi-conductrices comprenant un oxydant primaire doté d'un potentiel d'oxydation suffisant pour oxyder le tungstène en un oxyde de tungstène.