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In a storage cell array, a first and a second line are provided, on whose crossing point a storage element with magnetoresistive effect is disposed.
Selon l'invention, dans un ensemble cellule de mémoire sont placées une première ligne et une seconde ligne, au point de croisement desquelles se trouve un élément de mémoire à effet magnétorésistif.
A non-volatile semiconductor storage device includes a storage cell array in which a plurality of storage cells holding information are arranged, a plurality of reference cells for supplying a plurality of different reference currents, and a read out circuit.
Un dispositif de stockage semi-conducteur non volatile comprend un réseau de cellules de stockage constitué d'une pluralité de cellules de stockage conservant des informations, une pluralité de cellules de référence destinées à fournir une pluralité de courants de référence différents, et un circuit de lecture.
the invention relates to a storage cell array with storage capacitors, each of which has a lower capacitor electrode, a capacitor dielectric and an upper capacitor electrode which are at least partially located in a trench
la présente invention concerne un dispositif de cellules mémoires comportant des condensateurs présentant chacun une électrode inférieure, un diélectrique et une électrode supérieure, étant situés au moins partiellement dans une tranchée
in accordance with the method, one or more reference storage columns are included in the array at each side of the storage cell array and are used to store a reference signal at the same time that the adjacent storage cell stores a signal sample
selon le procédé, une ou plusieurs colonnes de stockage de références sont comprises dans le réseau de chaque côté du réseau de cellules de stockage et elles servent à stocker un signal de référence au même moment où la cellule de stockage adjacente stocke un échantillon de signal
At least one of the capacitor electrodes (53, 61) is a metallic electrode, in particular made of tungsten-silicide. The storage cell array can be manufactured with a required space of 8F2 per storage cell.
Dans ce dispositif de cellules mémoires, au moins l'une des électrodes de condensateur (53, 61) correspond à une électrode métallique constituée en particulier de siliciure de tungstène.
The storage cell array can be manufactured with a required space of 8F2 per storage cell.
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