For application of the buffer layer in porous form, a solution is sprayed on.
The second barrier layer is then deposited on the buffer layer.
A semiconductor charge bleed-off layer may be formed between the substrate and the buffer layer.
including a p-n junction on the buffer layer in which the active
Suitable materials for the buffer layer include polyamides and polyimide.
applying an inorganic photoresist on the buffer layer
formed to sandwich the magnetic sensing portion together with the buffer layer
formée pour intercaler la partie de détection magnétique avec la couche tampon
on the opposite sides of a portion consisting of the buffer layer
sur les côtés opposés d'une partie constituée de la couche tampon
alternating areas of the buffer layer include a compound semiconductor material.
des zones alternées de la couche tampon renferment un matériau à semi-conducteurs composés.
Preferably, the buffer layer is used as a cathode buffer layer.
De préférence, la couche tampon est utilisée comme couche tampon de cathode.
a lower waveguide formed on a predetermined area on the buffer layer
un guide d'ondes inférieur formé sur une zone prédéterminée de la couche tampon
on the buffer layer, an active structure of aluminum gallium nitride
sur la couche tampon, une structure active de nitrure de gallium-aluminium
consequently, lowering of resistance of the buffer layer is prevented.
on empêche ainsi une baisse de résistance de la couche tampon