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le module de mémoire flash
dudit module
du module de mémoire flash
The main body is based on mechanical hard disk, and the flash memory module is in charge of data operation and transmission.
Le corps principal est basé sur le disque dur mécanique, et le module de mémoire flash est en charge de l'exploitation de données et de la transmission.
In one embodiment, the flash memory module is made up of a set of banks, each consisting of a plurality of devices, with each bank sharing a single chip-select/ready-busy connection to the controller.
Dans un mode de réalisation, le module de mémoire flash est constitué d'un jeu de bancs, chacun constitué d'une pluralité de dispositifs, chaque banc partageant une seule connexion sélection de circuit/prêt-occupé avec l'unité de commande.
the flash memory module includes a flash memory buffer coupled to the memory bus and to at least one flash memory device
le module de mémoire flash comprend un tampon de mémoire flash qui est couplé au bus mémoire et à au moins un dispositif de mémoire flash
The flash memory module is divided into eight Flash Groups; but the current preferred embodiment can hold between eight and twelve Flash Groups.
Le module de mémoire flash est divisé en huit groupes flash; mais le mode de réalisation préféré actuel peut contenir entre huit et douze groupes flash.
the indicator light indicates whether the flash memory module is being accessed
alternatively, the indicator light indicates that the flash memory module should be replaced
dans une autre variante, la lampe témoin indique à l'utilisateur lorsqu'il est nécessaire de remplacer le module de mémoire flash
the indicator light is preferably a surface mount LED and is positioned adjacent the distal end of the flash memory module to be seen through the transparent plastic
la lampe témoin, de préférence une DEL de montage en surface, est placée dans une position adjacente à l'extrémité distale du module de mémoire flash, afin qu'elle soit visible à travers le plastique transparent
In one embodiment of the invention, the high electric field is applied to the control gate of the flash memory module prior to an erase operation of the flash memory module.
Dans un mode de réalisation de l'invention, le champ électrique élevé est appliqué à la grille de commande du module de mémoire flash avant une opération d'effacement dudit module.
By applying a high electric field to the control gate of the flash memory module, embodiments of the invention improve the Program/ Erase cycling degradation of the single-level or multi-level cells of the flash memory module.
En appliquant un champ électrique élevé à la grille de commande du module de mémoire flash, des modes de réalisation de l'invention atténuent la dégradation provoquée par les cycles de programmation/effacement des cellules à un seul niveau ou multiniveaux dudit module.
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