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the ring segment buffer
Vertaling van "the ring segment buffer" in Frans
du tampon à segment annulaire
le tampon à segment annulaire
the ring segment buffer comprises one or more serially connected complementary field effect transistor (FET) inverter stages (21a,... 21n), with the output of a preceding stage being connected to the input of a succeeding stage
le tampon à segment annulaire comprend des étages inverseurs à transistor à effet de champ (TEF) complémentaire connectés en série, la sortie de l'étage précédent étant connectée à l'entrée d'un étage suivant
By maintaining the K channel width relationship, the Ring Segment Buffer can drive large capacitive loads at high speed.
Le fait de maintenir la relation K largeur de canal permet au tampon à segment annulaire de commander rapidement des charges capacitives élevées.
The Ring Segment Buffer may also provide a predetermined delay which is a function of channel length and the number of stages.
Le tampon à segment annulaire peut également produire un retard prédéterminé en fonction de la longueur du canal et du nombre d'étages.
Such a Delay Storage cell may be used to design a shift register or binary counter which only requires one clock pulse for operation, because the delay of the Ring Segment Buffer allows internal clocking.
On peut utiliser ladite cellule de stockage à retard afin de concevoir un registre à décalage ou un compteur binaire ne nécessitant qu'une impulsion d'horloge pour fonctionner, puisque le retard du tampon à segment annulaire permet une synchronisation interne.
For large capacitive loads, the last stage of the Ring Segment Buffer may be replaced by a bipolar transistor-FET driver in which minority carrier lifetime controlled bipolar transistors are used.
Pour les charges capacitives élevées, le dernier étage du tampon à segment annulaire peut être remplacé par un circuit d'attaque à transistor bipolaire-TEF dans lequel on utilise des transistors bipolaires régulés en durée de vie par des porteurs minoritaires.
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