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mémoire non volatile de type
arrangement constitution of floating gate type nonvolatile memory
Disclosed is a resistance change type nonvolatile memory that has an insulation film structure, is advantageous for the implementation of high integration, and achieves stable switching characteristics, and a manufacturing method therefor.
L'invention concerne une mémoire non volatile de type à changement de résistance, qui présente une structure de pellicule isolante, se révèle avantageuse pour la mise en œuvre d'une intégration élevée et possède des caractéristiques de commutation stables.
a floating gate type nonvolatile memory device is suitable to be integrated into a logic LSI, eliminates interference during writing and erasure and is advantageously configured for storing data
un dispositif de mémoire non volatile de type à grille flottante qui est approprié pour être intégré dans un circuit logique à intégration à grande échelle (LSI), élimine des interférences durant une écriture et un effacement et est avantageusement configuré pour stocker des données
A memory cell for storing 1-bit data is formed by using at least two memory elements in the OTP type nonvolatile memory using a memory element that have two states and can transit only in one direction.
Une cellule de mémoire pour stocker des données de 1 bit est formée au moyen d'au moins deux éléments de mémoire dans la mémoire non volatile de type OTP utilisant un élément de mémoire possédant deux états et capable de subir une transition dans un seul sens.
in the OTP type nonvolatile memory using a memory element that has two states of an h state (a first state) and an l (a second state) state (hereinafter simply referred to as h and
dans la mémoire non volatile de type OTP utilisant un élément de mémoire possédant deux états, à savoir un état h (premier état) et un état l (deuxième état) (ci-après dénommés simplement h et
A floating gate EEPROM type nonvolatile memory cell includes a floating gate (111) divided into three regions situated with relation to specified regions in the substrate.
Une cellule de mémoire rémanente du type EEPROM à porte flottante comprend une porte flottante (111) divisée en trois régions situées en rapport à des régions spécifiques du substrat.
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Synoniemen voor type nonvolatile memory in het Engels