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variable resistance memory element
Vertaling van "variable resistance memory element" in Frans
élément de mémoire à résistance variable
An electronic device comprises a variable resistance memory element on a substrate.
L'invention porte sur un dispositif électronique qui comporte un élément de mémoire à résistance variable sur un substrat.
to program a selected variable resistance memory element, all of the bitlines. are grounded or' biased at the same voltage
pour programmer un élément de mémoire à résistance variable choisi, toutes les lignes de bits sont mises à la terre ou polarisées à la même tension
a top electrode select line that is in contact with the selected variable resistance memory element is selected
une ligne de sélection d'électrode supérieure, en contact avec l'élément de mémoire à résistance variable, est choisie
the method includes the step of applying to the variable resistance memory element a voltage that is less than a fixed voltage of the substrate
le procédé consiste à appliquer sur l'élément de mémoire à résistance variable une tension qui est inférieure à une tension établie du substrat
a variable resistance memory array, programming a variable resistance memory element and methods of forming the array
un réseau de mémoire à résistance variable, qui programme un élément de mémoire à résistance variable, et des procédés de formation de ce réseau
the applied voltage induces an erase current to flow from the p-doped substrate through the n-well and through the variable resistance memory element.
cette tension appliquée induit un courant d'effacement qui circule depuis le substrat à dopage p à travers le puits n et à travers l'élément de mémoire à résistance variable.
the clialcogenide variable resistance memory cell includes a p-doped substrate with an n-well and a clialcogenide variable resistance memory element
cette cellule mémoire à résistance variable à base de chalcogénure comprend un substrat à dopage p avec un puits n et un élément de mémoire à résistance variable à base de chalcogénure
the word lines having the word line transistors surrounding the selected variable resistance memory element are turned on to supply programming current to the element
la ligne de mots ayant des transistors de ligne de mots entourant l'élément de mémoire à résistance variable choisi est mise sous tension pour alimenter ledit élément en courant de programmation
current flows from the selected top electrode select line through the variable resistance memory element into the common source/drain region of the surrounding word line transistors, across the transistors to the nearest bitline contacts
le courant s'écoule de la ligne de sélection d'électrode supérieure traversant l'élément de mémoire à résistance variable dans la zone source/drain commune des transistors de ligne de mots enveloppants, à travers les transistors en direction des contacts de lignes de bits les plus proches
in order to reduce memory power consumption during operation and standby, a memory block (MB) including a variable resistance memory element comprises
afin de réduire la consommation de mémoire pendant le fonctionnement et en veille, un bloc-mémoire (MB) comprenant un élément de mémoire à résistance variable comprend
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