Exhausted all of the device's dynamic memory.
For these reasons, this approach is mainly used for languages that do not support dynamic memory allocation.
以上のような理由から、この手法は動的メモリ確保をサポートしていない言語で主に利用される。
A precharge circuit supplies the precharge voltage to a bit line during non-access of a dynamic memory cell.
プリチャージ回路は、ダイナミックメモリセルの非アクセス中に、プリチャージ電圧をビット線に供給する。
Therefore, the charge holding characteristic of the memory cells is accurately evaluated in a semiconductor memory having dynamic memory cells.
したがって、ダイナミックメモリセルを有する半導体メモリにおいて、メモリセルの電荷保持特性を、正確に評価できる。
Some applications for embedded devices allocate all dynamic memory at start so redundant code will reduce the size of the available heap.
組み込み装置のいくつかのアプリケーションは最初から全ての動的メモリを確保するため、重複コードは使用可能なヒープを減らすことにつながる。
The difference between all three dynamic memory modules in power consumed.
消費電力の3つの動的メモリモジュールすべての差があります。
This is a very flexible rendering path but should only be used for non-performance critical mesh passes, as it doesn't support caching, automatic instancing, and makes multiple dynamic memory allocations.
これは非常に柔軟なレンダリング パスですが、キャッシングと自動インスタンス化をサポートしておらず、複数の動的メモリ割り当てを行うので、パフォーマンスが重要ではないメッシュ パスにのみ使用してください。
If your platform has limited dynamic memory, consider using a smaller page size so as to limit the effect on synchronization memory requirements.
プラットフォームの動的メモリの制約が大きい場合は、ページ・サイズを小さくして、同期メモリ要件による影響を低減させることを検討してください。
Pointers and their relationships to arrays, as well as their relationship to dynamic memory allocation is the subject of articles to come in the series.
ポインタとその配列との関係、およびダイナミックメモリ割り当てとの関係は、シリーズに登場する記事の主題です。
First, the group of transistors included in the trigger costs more than a cell of dynamic memory, even if they are manufactured by a group method by millions on one silicon substrate.
まず、1枚のシリコン基板上に群方式で製造されても、トリガーに含まれるトランジスタのグループが動的メモリのセルよりも多い。
Most of the modern computers is a dynamic memory modules containing semiconductor integrated circuits organized by the principle of devices with arbitrary access.
最近のコンピュータのほとんどは、任意のアクセスを備えたデバイスの原理によって編成された半導体集積回路を含むダイナミックメモリモジュールです。
A sense amplifier amplifies the difference between the supplied precharge voltage and a voltage of a data signal read from the dynamic memory cell onto the bit line.
センスアンプは、ダイナミックメモリセルからビット線上に読み出されるデータ信号の電圧と供給されたプリチャージ電圧の差を増幅する。
If you set your own value, you may inadvertently cause problems with the dynamic memory required for synchronization.
独自の値を設定すると、同期のための動的メモリ要件に関連して予期しない問題が発生する可能性があります。