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half value width
Vertaling van "half value width" in Japans
半価幅
Consequently, the encoder (1) can detect the absolute angle of a measurement object precisely even if the irradiating position of detected light on the scale plate (11) is shifted from the reference by controlling a correction amount based on the difference aº between an angular range corresponding to the half value width W of light intensity waveform P and a reference angular range when the angle is detected.
これにより、エンコーダ１では、スケール板１１に対する被検出光の照射位置が基準からずれている場合であっても、角度検出時における光強度波形Ｐの半値幅Ｗに対応する角度範囲と基準角度範囲との差aºに基づく補正量を加減し、測定対象物の絶対角度を精度良く検出することができる。
When a flat surface including four points on the two facing sides among the sides defining the extension of an output surface (32a) of the backlight is permitted to be a reference surface (RPa), intensity distribution of light outputted from the output surface has a half value width angle of ±30º with the normal line direction of the reference surface at the center.
バックライトの出射面（３２ａ）の外延を規定する辺の内の互いに対向する２つの辺の４つの点を含む平面を基準面（ＲＰａ）とするとき、出射面から出射される光の強度分布は、基準面の法線方向を中心とする半値幅角が±３０º以下である。
The distortion application is performed by heating the rolled material (RS) in a heating furnace (10), and by passing the heated rolled material (RS) between rollers (21) thereby to bend the rolled material (RS), so that the bent plate may have a half value width of the (0004) diffraction peak in the monochromatic X-ray diffraction, at 0.20 deg. to 0.59 deg.
歪みの付与は、圧延材RSを加熱炉10で加熱し、加熱した圧延材RSを加熱したローラ21間に通過させて圧延材RSに曲げを付与し、付与後の板材の単色光X線回折における（0004）回折ピークの半価幅が0.20deg以上0.59deg以下となるように行う。
It is possible to provide a light source realizing a single spectral line width of a half value width not greater than 1 MHz and not affected by a change of the ambient temperature.
半値幅１ＭＨｚ以下の単一なスペクトル線幅を実現し、使用環境温度の変化の影響を受けない光源を提供する。
Half value width of the peak in each color is preferably 50 nm or less.
また、各色のピークの半値幅が５０ｎｍ以下であることが好ましい。
When ordering, inform us of the environmental conditions. Required information When you place an order, please state the required CWL, Half value width and filter size.
ご注文の際に環境条件をご連絡ください。 ご注文の際のお願い 干渉フィルタをご注文の際には中心波長、半値幅、サイズをご連絡下さい。
The semiconductor light emitting device member wherein, (1) a solid-state Si magnetic resonance spectrum is provided with at least one peak selected from (i) a peak wherein a peak top position is in a region having a chemical shift of -40ppm or more but not more than 0ppm and a peak half value width is 0.3ppm or more but not more than 3.0ppm, and (ii) a peak selected from a group composed of peaks wherein peak top positions are in a region having a chemical shift of -80ppm or more but less than -40ppm and a peak half value width is 0.3ppm or more but not more than 5.0ppm, (2) a silicon content rate is 20 wt.% or more, and (3) a silanol content is 0.1 wt.% or more but not more than 10 wt.%, is used.
このため、（１）固体Ｓｉ－核磁気共鳴スペクトルにおいて、（ｉ）ピークトップの位置がケミカルシフト－４０ｐｐｍ以上０ｐｐｍ以下の領域にありピークの半値幅が０．３ｐｐｍ以上３．０ｐｐｍ以下であるピーク及び（ii）ピークトップの位置がケミカルシフト－８０ｐｐｍ以上－４０ｐｐｍ未満の領域にありピークの半値幅が０．３ｐｐｍ以上５．０ｐｐｍ以下であるピークからなる群より選ばれるピークを少なくとも１つ有するとともに（２）ケイ素含有率が２０重量％以上であり（３）シラノール含有率が０．１重量％以上、１０重量％以下である半導体発光デバイス用部材を用いる。
The transcription fuel gas adsorbent is produced by mixing microcapsules, with a substance capable of absorbing and releasing heat upon a phase change being sealed thereinto, and activated carbon having an average pore diameter of not less than 50 nm and not more than 1000 nm, a pore volume of not less than 0.3 ml/g and, in a Raman spectroscopic analysis, a half value width of a D band peak around 1360 cm-1 of not less than 100 cm-1 and a G band peak around 1580 cm-1 of not less than 100 cm-1 together, and integrally molding the mixture.
相変化により熱の吸収及び放出を生じる物質を封入したマイクロカプセルと、平均細孔直径５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の細孔容積が０．３ミリリットル／ｇ以上であり、且つラマン分光分析における１３６０ｃｍ－１近傍のＤバンド及び１５８０ｃｍ－１近傍のＧバンドピークの半値幅が各々１００ｃｍ－１以上の活性炭とを混合して一体成形した蒸散燃料ガス吸着材とその製造方法により上記課題を達成することができる。
This crystalline evaluation method or the like includes: a first step of measuring a peak waveform of a Raman band corresponding to a phonon mode specific to a semiconductor film by Raman spectroscopy; a second step of generating a first fitting waveform, which is a waveform fitted by a Gaussian function, by fitting the measured peak waveform of the Raman band by the use of the Gaussian function; a third step of extracting a peak value of the first fitting waveform; a fourth step of generating a second fitting waveform, which is a waveform fitted by a Lorentz function, by fitting the peak waveform of the Raman band by the Lorentz function with the use of the extracted peak value; a fifth step of outputting a half value width or the like of the second fitting waveform; and a sixth step of evaluating crystalline of the semiconductor film on the basis of the half value width output in the fifth step.
本発明の結晶性評価方法等は、半導体膜に固有のフォノンモードに対応するラマンバンドのピーク波形をラマン分光法により測定する第１工程と、ガウス関数を用いて、測定したラマンバンドのピーク波形をフィッティングすることで、ガウス関数によりフィッティングされた波形である第１フィッティング波形を生成する第２工程と、第１フィッティング波形のピーク値を抽出する第３工程と、抽出したピーク値を用いて、ローレンツ関数によりラマンバンドのピーク波形をフィッティングすることで、ローレンツ関数によるフィッティングされた波形である第２フィッティング波形を生成する第４工程と、第２フィッティング波形の半値幅等を出力する第５工程と、第５工程で出力された半値幅等に基づき、半導体膜の結晶性を評価する第６工程と、を含む。
Where three pulses included in a 1/2 cycle of the inverter frequency in a PWM waveform for controlling a switching element of an inverter unit for driving the motor is assumed to be a first pulse, a second pulse and a third pulse, respectively in the generated order, when a motor for propelling the electric vehicle is driven in a 3-pulse mode, and where a pulse width of the first pulse is (Tp), a half of a pulse width (pulse half value width) of the second pulse is (Tq), a pulse width of the third pulse is (Tr), and a cycle of the inverter frequency is (T), they are specified to satisfy relations of Tq>=T/8, Tp<=Tq/2 and Tr<=Tq/2 among the pulse width (Tp) of the first pulse, the pulse half value width (Tq) of the second pulse, the pulse width (Tr) of the third pulse, and the cycle (T) of the inverter frequency.
電気車を推進させるモータを３パルスモードで駆動する際に、モータを駆動するインバータ部のスイッチング素子を制御するためのＰＷＭ波形におけるインバータ周波数の１／２周期内に含まれる３つのパルスを、その生成順にそれぞれ第１パルス、第２パルス、第３パルスとし、第１パルスのパルス幅をＴｐ、第２パルスのパルス幅の１／２（パルス半値幅）をＴｑ、第３パルスのパルス幅をＴｒ、インバータ周波数の周期をＴとするとき、第１パルスのパルス幅Ｔｐと、第２パルスのパルス半値幅Ｔｑと、第３パルスのパルス幅Ｔｒと、インバータ周波数の周期Ｔとの間で、Ｔｑ≧Ｔ／８、かつ、Ｔｐ≦Ｔｑ／２、かつ、Ｔｒ≦Ｔｑ／２の関係を満足するように設定する。
Synoniemen voor half value width in het Engels
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