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minimum line width
Vertaling van "minimum line width" in Japans
最小線幅
Equipment that can achieve a circuit of which the minimum line width of a line producing a pattern is 65 nanometers or less.
（一） パターンを形成する線の最小線幅が六五ナノメートル以下の回路を実現することができるもの
The standard at which the step-and-repeat projection exposure method becomes effective is for products that require an overlay accuracy of within ±30 μm and a minimum line width of within 50 μm.
分割投影露光が有効となる目安は要求重ね合せ精度が±30μm以下、パターン最小線幅が50μm以下の製品と考える。
Integrated circuits whose minimum line width which is 0.5 micrometers or more
最小線幅が〇・五マイクロメートル以上のもの
Microprocessors, microcomputers, or microcontrollers with whose minimum line width 0.5 micrometers or more
最小線幅が〇・五マイクロメートル以上のもの
Equipment that can process a wafer to fit within the range of less than 10 % where the non-uniformity of the minimum line width of a line producing a pattern on the surface of the wafer, excluding the area 2 millimeters or less from the outside edge of the wafer, is 3 sigma distribution
（二） ウエハーの外縁から二ミリメート以下の範囲を除外したウエハーの表面におけるパターンを形成する線の最小線幅の不均一性が三シグマの分布において、一〇パーセント以下の範囲に収まるようにウエハーを加工することができるもの
Among plasma breeding chemical vapor deposition systems having cassette-to-cassette functions and load lock functions or systems designed to be connected to and used with equipment falling under (e), those that are used in the manufacture of semiconductor devices with a minimum line width of 65 nanometers or less
プラズマ増殖型の化学的気相成長装置であって、カセットツウカセット機能及びロードロック機能を有するもの又はホに該当するものに接続して使用するように設計したもののうち、最小線幅が六五ナノメートル以下の半導体素子の製造に使用されるもの
The technology (excluding programs) necessary for the design or manufacture of, among the core of the microprocessors, microcomputers, or microcontrollers, wherein the bit count of the access width of logic-operations is 32 or more, those falling under any of the following (excluding programs and the technology necessary for the design or manufacture of the core of the microprocessors, microcomputers, or microcontrollers with a minimum line width of 0.13 micrometers or more and multi-layer structures with five or less metal layers)
三 マイクロプロセッサ、マイクロコンピュータ又はマイクロコントローラのコアであって、論理演算ユニットのアクセス幅のビット数が三二以上のもののうち、次のいずれかに該当するものの設計又は製造に必要な技術（プログラム及び最小線幅が〇・一三マイクロメートル以上、かつ、金属層が五層以下の多層構造を有するマイクロプロセッサ、マイクロコンピュータ若しくはマイクロコントローラのコアの設計又は製造に必要な技術を除く。）
A method of dry etching, comprising exposing a resist film to radiation of 195 nm or less wavelength so as to form a resist pattern of 200 nm or less minimum line width and subjecting the resist pattern to dry etching using a fluorinated compound of C4-C6 having at least one unsaturated bond as an etching gas.
レジスト膜に波長が１９５ｎｍ以下の放射線を照射して最小線幅２００ｎｍ以下のレジストパターンを形成し、次いで、エッチングガスとして少なくとも１つの不飽和結合を有する炭素数４～６のフッ素系化合物を用いて該レジストパターンをドライエッチングすることからなるドライエッチング方法。
NGK Spark Plug Co., Ltd. designed the wire pattern with a minimum line width of 10 μm.
本配線パターンサンプルは日本特殊陶業（株）が設計したものであり、最小線幅は10 μmで構成されている。
Equipment that contains a minimum line width of plus/minus 3 sigma distribution within a range of plus/minus 5%, and that can achieve a minimum line width of 180 nanometers or less.
（一） 最小線幅のプラスマイナス三シグマの分布をプラスマイナス五パーセントの範囲に収め、かつ、一八〇ナノメートル以下の最小線幅を実現することができるもの
Resolution is mostly specified as t he minimum line width to be resolved of a dry film photoresist.
解像力はドライフィルムレジストの最小解像線幅で規定される場合が多い。
This allows fine patterns to be drawn with minimum line width of 6 nm or less.
これにより、市販レジストでも6nmの超微細パターンを描画することが可能です。
Thanks to its combined high-power 355 nm YAG laser and four imaging heads, the DW-6000 achieves an outstanding output of 70 panels per hour at a minimum line width of just 5 μm.
この装置は、高出力の355nmYAGレーザーと4台の描画ヘッドの組み合わせにより、最小線幅5μmの解像度で1時間当たり70枚という、量産向け直接描画露光装置として業界最高水準のスループットを実現しました。
Synoniemen voor minimum line width in het Engels
Woord & uitdrukking van de dag
Afbeelding van de dag
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