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surface layer section
Vertaling van "surface layer section" in Japans
表層部
In the sensor region, a capacitance type acceleration sensor is formed by processing a semiconductor substrate surface layer section that faces the hollow.
センサ領域には、空洞に対向する半導体基板の表層部を加工して、静電容量型加速度センサが形成される。
Disclosed is a semiconductor device wherein a semiconductor substrate has a sensor region and an integrated circuit region, and a hollow is formed directly under the surface layer section in the sensor region.
半導体装置の半導体基板は、センサ領域および集積回路領域を有し、センサ領域の表層部直下には空洞が形成される。
The heat detecting section, i.e., a surface layer section of the ceramic body (10), generates heat due to, for instance, radiative heat transfer, and a resistance value of a thermistor ceramic layer between the heat detecting section electrodes (1, 2) is reduced.
セラミック素体（１０）の表層部である熱検知部は例えば輻射伝熱により発熱し、熱検知部電極（１，２）間のサーミスタセラミック層の抵抗値が低下する。
The method includes steps performed in the following order; (a) a step of forming a magnetic layer on a nonmagnetic substrate, (b) a step of exposing to reactive plasma or reactive ions a surface layer section of the magnetic layer in a region from which the magnetic layer is to be removed, and (c) a step of irradiating the magnetic layer with an inert gas.
好ましくは、工程（イ）の後、（ロ）磁性層を分離する領域の磁性層の表層部を除去する工程、（ハ）該表層部を除去した磁性層の領域を反応性プラズマもしくは反応性イオンに曝す工程、（ニ）磁性層に不活性ガスを照射する工程を行う。
In the outermost surface layer section of the composite resin particles, polystyrene resin having a particle size of 0.3-1.5 µm is dispersed in the polypropylene resin.
ポリプロピレン系樹脂とポリスチレン系樹脂とを含む複合樹脂粒子であり、ポリスチレン系樹脂の含有量がポリプロピレン系樹脂１００質量部に対して１００～４００質量部であり、複合樹脂粒子の表層部は、ポリプロピレン系樹脂中に、粒子径０．３μｍ以下のポリスチレン系樹脂が分散された状態であり、複合樹脂粒子の最表層部は、ポリプロピレン系樹脂中に、粒子径０．３～１．５μｍのポリスチレン系樹脂が分散された状態であり、複合樹脂粒子の表面の赤外線吸収スペクトルから得られるポリスチレン系樹脂由来とポリプロピレン系樹脂由来の吸光度の比が０．５～２．５である複合樹脂粒子。
A semiconductor element (1) contains: an n-type epitaxial layer (8); body regions (12) formed in the surface layer section of the n-type epitaxial layer (8); n-type source regions (16) formed in the surface layer sections of the body regions (12); a gate insulator film (19) which is formed on the n-type epitaxial layer (8); and a gate protection diode (30) and gate electrodes (20) formed on the gate insulator film (19).
半導体素子１は、ｎ型エピタキシャル層８と、ｎ型エピタキシャル層８の表層部に形成されたボディ領域１２と、ボディ領域１２の表層部に形成されたｎ型ソース領域１６と、ｎ型エピタキシャル層８上に形成されたゲート絶縁膜１９と、ゲート絶縁膜１９上に形成されたゲート電極２０およびゲート保護ダイオード３０とを含む。
The surface layer section of the membrane includes one or more types of metal elements from among aluminum (Al), yttrium (Y), magnesium (Mg), and boron (B).
その被膜の表層部には、アルミニウム（Ａｌ）、イットリウム（Ｙ）、マグネシウム（Ｍｇ）および硼素（Ｂ）のうちいずれか１種以上の金属元素が含まれている。
The magnesium alloy wire is used in a member to which bending stress and/or torsional stress are mainly applied, wherein the surface layer section of the wire comprises a portion having a maximum hardness of 170 HV or more, and the inside of the wire has 0.2% yield strength and 5% or more elongation at 550 MPa or more.
曲げ応力および／またはねじり応力が主として作用する部材に使用されるマグネシウム合金製の線材であって、線材は、その表層部が最高硬さで１７０ＨＶ以上の部分を有するとともに、内部が５５０ＭＰａ以上の０．２％耐力かつ５％以上の伸びを有する。
The CMIS transistor includes a P-type well region and an N-type well region, which are formed in the semiconductor substrate surface layer section.
Ｐ型ウェル領域およびＮ型ウェル領域のそれぞれに対して、半導体基板の表面に形成されたゲート絶縁膜を介して、ゲート電極が対向する。
A semiconductor device is provided with a semiconductor layer; a source region formed on the surface layer section of the semiconductor layer; a drain region formed on the surface layer section of the semiconductor layer by being spaced apart from the source region; a gate insulating film formed on the surface of the semiconductor layer, in a region facing the surface between the source region and the drain region; a gate electrode formed on the gate insulating film; and a drain-gate separating section arranged between the drain region and the gate insulating film to separate the drain region and the gate insulating film one from the other in a non-contact state.
本発明の半導体装置は、半導体層と、前記半導体層の表層部に形成されるソース領域と、前記半導体層の表層部に前記ソース領域と間隔を空けて形成されるドレイン領域と、前記半導体層の表面上において、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間に対向する領域に形成されるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されるゲート電極と、前記ドレイン領域と前記ゲート絶縁膜との間に介在され、前記ドレイン領域と前記ゲート絶縁膜とを非接触状態に分離するためのドレイン－ゲート分離部とを備えている。
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Synoniemen voor surface layer section in het Engels
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