We konden deze vermelding niet vinden. Er worden benaderende resultaten weergegeven. Controleer je spelling of stel voor deze term aan het woordenboek toe te voegen.
To pattern the smallest layers, chipmakers now need to use multiple steps, a complex process known as multi-patterning that not only reduces productivity but also increases variability, which lowers the yield.
Naar het patroon van de kleinste lagen, chipmakers moeten nu gebruik maken van meerdere stappen, een complex proces dat bekend staat als multi-patronen die vermindert niet alleen de productiviteit, maar verhoogt ook de variabiliteit, die verlaagt het rendement.
Only multi-patterning - which is known to be very costly and complex - is possible either by immersion or by EUV or by a combination of immersion and EUV exposures to form a single metal layer.
Dat is enkel mogelijk met multi-patterning - een erg dure en complexe oplossing waarbij meerdere belichtingsstappen gebruikt worden - hetzij met immersielithografie, of met EUV, of met een combinatie van immersie en EUV om één metaallaag te maken.
For example, the ability to print features with single exposure EUV lithography instead of with multi-patterning 193nm lithography leads to enhanced process simplification and reduced cost per wafer.
Zo zou de mogelijkheid om via EUV-lithografie structuren te printen met één enkele belichtingsstap in plaats van met multi-patterning 193nm lithografie het fabricageproces sterk vereenvoudigen en de kost per wafer naar beneden brengen.
At IITC, we showed a full integration flow using multi-patterning, which enables us to pattern tight-pitch metal-cut (the blocks), and effectively scale the trench critical dimension to 12nm at 16nm half pitch.
Tijdens de IITC-conferentie demonstreerden we een volledig intregratieproces waarbij we gebruik maakten van multi-patterning. Hiermee konden we de metaal-block met een erg kleine pitch patroneren, en de kritische dimensie van de geul tot 12nm verkleinen bij 16nm halve pitch.
Last year, at the 2017 SPIE Advanced Lithography Conference, imec presented many advances in hybrid multi-patterning (hybrid 193i-EUV) by combining, e.g., 193nm immersion-based self-aligned quadrupole patterning (SAQP) of 32nm pitch metal lines with a direct EUV print of the block layers.
Vorig jaar, tijdens de 2017 SPIE Advanced Lithography Conference heeft imec vooruitgang getoond in hybride multi-pattering (hybride 193i-EUV) door bijvoorbeeld 193nm immersie-gebaseerde self-aligned quadrupole patterning (SAQP) van 32nm-pitch metaallijnen te combineren met een directe EUV-print van de block-lagen.
At the 7nm node, extreme ultraviolet (EUV) lithography is one of the major process options, as it tremendously simplifies the complexity that comes along with multi-patterning immersion lithography.
Dimensies kleiner maken In de 7nm node is extreem ultraviolet (EUV) lithografie één van de belangrijkste procesopties.
Potentieel gevoelige of ongepaste informatie
Er worden alleen voorbeelden gegeven om u te helpen het woord of de woordcombinatie waarop u hebt gezocht, te vertalen. Deze worden niet door ons geselecteerd of gevalideerd en kunnen ongepaste taal bevatten. Wij vragen u melding te maken van voorbeelden die dienen te worden aangepast of verwijderd. Vertalingen met grof of informeel taalgebruik worden meestal rood of oranje gemarkeerd.