We konden deze vermelding niet vinden. Er worden benaderende resultaten weergegeven. Controleer je spelling of stel voor deze term aan het woordenboek toe te voegen.
b. does not control "technology" for high electron mobility transistors (HEMT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz and hetero-junction bipolar transistors (HBT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz.
Pozycja 3E003.b nie obejmuje kontrolą "technologii" dla tranzystorów o wysokiej ruchliwości elektronów (HEMT), pracujących na częstotliwościach niższych od 31,8 GHz oraz tranzystorów heterobipolarnych (HBT), pracujących na częstotliwościach niższych od 31,8 GHz.
3E003.b. does not control "technology" for high electron mobility transistors (HEMT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz and hetero-junction bipolar transistors (HBT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz.
Pozycja 3E003.b nie obejmuje kontrolą "technologii" dla tranzystorów o wysokiej ruchliwości elektronów (HEMT), pracujących na częstotliwościach niższych od 31,8 GHz oraz tranzystorów heterobipolarnych (HBT), pracujących na częstotliwościach niższych od 31,8 GHz.
Note: 3E003.b. does not control technology for high electron mobility transistors (HEMT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz and hetero-junction bipolar transistors (HBT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz.
Uwaga: Pozycja 3E003.b. nie obejmuje kontrolą technologii dla tranzystorów o wysokiej ruchliwosci elektronów (HEMT), pracujących na częstotliwościach niższych od 31,8 GHz oraz tranzystorów heterobipolarnych (HBT), pracujących na częstotliwościach niższych od 31,8 GHz.
Note: 3E003.b. does not control technology for high electron mobility transistors (HEMT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz and hetero-junction bipolar transistors (HBT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz.
Uwaga: Pozycja 3E003.b nie obejmuje kontrolą technologii dla tranzystorów o wysokiej ruchliwości elektronów (HEMT), pracujących na częstotliwościach niższych od 31,8 GHz oraz tranzystorów heterobipolarnych (HBT), pracujących na częstotliwościach niższych od 31,8 GHz.
The study was funded in part by the DOTFIVE ('Towards 0.5 terahertz silicon/germanium hetero-junction bipolar technology') project, which received EUR 9.7 million under the 'Information and communication technologies' Theme of the EU's Seventh Framework Programme (FP7).
Badania zostały dofinansowane z projektu DOTFIVE (W kierunku krzemowo-germanowej hetero złączowej technologii bipolarnej 0,5 tera herca), który otrzymał 9,7 mln EUR z tematu "Technologie informacyjne i komunikacyjne" Siódmego Programu Ramowego (7PR) UE.
Potentieel gevoelige of ongepaste informatie
Er worden alleen voorbeelden gegeven om u te helpen het woord of de woordcombinatie waarop u hebt gezocht, te vertalen. Deze worden niet door ons geselecteerd of gevalideerd en kunnen ongepaste taal bevatten. Wij vragen u melding te maken van voorbeelden die dienen te worden aangepast of verwijderd. Vertalingen met grof of informeel taalgebruik worden meestal rood of oranje gemarkeerd.