Vertaling van "InGaN" in Duits
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Il dispose d'un lecteur de carte intégré et un InGaN filaire...
Es verfügt über einen eingebauten Kartenleser und ein verkabeltes InGaN...
Dispositif de laser à semiconducteur à nitrure III-V suivant la revendication 5, comprenant en outre une couche intermédiaire de InGaN (13) entre ladite couche de guidage du côté n (5) et ladite couche active (6).
Laser-Einrichtung aus einem III-V-Nitrid-Halbleiter nach Anspruch 5, die ferner eine Zwischenschicht aus InGaN (13) zwischen der n-seitigen Führungsschicht (5) und der aktiven Schicht (6) umfasst.
Pendant plus de dix années, FOREPI s'est concentré sur la fabrication de pur-jeu des disques et des puces d'InGaN LED de haute énergie et a été un utilisateur à long terme des systèmes d'AIXTRON pour la fabrication avancée de produit de la haute performance HB-LED.
Seit mehr als zehn Jahren ist FOREPI auf die Herstellung InGaN-basierter Wafer und Chips für Hochleistungs-LEDs spezialisiert und langjähriger Anwender von AIXTRON Systemen in diesem Bereich.
Pour la LED blanche InGaN / YAG, en modifiant la composition chimique du phosphore YAG et en ajustant l'épaisseur de la couche de luminophore, vous pouvez obtenir la température de couleur de la lumière blanche colorée 3500-10000K.
Für InGaN/ YAG weiße LED, durch Änderung der chemischen Zusammensetzung von YAG Phosphor und Einstellung der Dicke der Leuchtstoffschicht, können Sie die Farbtemperatur von 3500-10000K farbigen weißen Licht zu bekommen.
Composite selon la revendication 15, dans lequel la couche III-V est sélectionnée dans le groupe consistant en GaN, AlGaN et InGaN.
Verbundstoff gemäß Anspruch 15, wobei die III-V Schicht ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus GaN, AlGaN und InGaN.
En plus de la LED GaN bleue Nakamura a également développé le nitrure d'indium-gallium vert (InGaN LED) et enfin une LED blanche.
Neben der blauen GaN-LED entwickelte Nakamura auch die grüne Indium-Galliumnitrid-Leuchtdiode (InGaN-LED) und schließlich eine weiße LED.
Pour des III-Nitrures, la Pro GaN option d'ECV étend les performances du système pour le profilage optimal de GaN, d'InGaN et d'AlGaN.
Für III-Nitride dehnt die Pro-GaN Option ECV die Leistung der Anlage für das optimale Ein Profil erstellen von GaN, von InGaN und von AlGaN aus.
Sur le site de production de Regensburg, les LED à base d'InGaN ont été fabriquées depuis 1996.
L'Alimentation Électrique de Réseau a passé sa commande dans le quatrième trimestre de 2009 pour l'accroissement d'InGaN de haute puissance sur le silicium LED.
