Cette efficacité dépasse le précédent record mondial EJM de 16.6%.
This efficiency exceeds the previous MBE world record of 16.6%.
Des profils électrochimiques combinés avec des mesures de phototensions in-situ ont été utilisés pour déterminer d'une manière précise la position des jonctions p-n dans les structures laser élaborées par EJM.
Electrochemical profiling combined with in-situ photovoltage measurements have been used to determine precisely the position of p-n junctions in laser structures grown by MBE.
Cependant, l'EJM est une technique peu mature pour la croissance des oxydes fonctionnels, et doit donc être développée pour cet objectif.
However, MBE is not a mature technique for functional oxides growth.
Les propriétés d'émission et d'absorption de puits quantiques polaires élaborés par épitaxie à jets moléculaires (EJM) sur substrat saphir sont discutées.
The effects of this electric field on emission and absorption properties of polar QW grown by molecular beam epitaxy (MBE) on sapphire substrate are discussed.
La croissance EJM et la modélisation de jonctions tunnel GaAs nous a permis d'identifier le mécanisme d'effet tunnel interbande plutôt que le mécanisme d'effet tunnel assisté par les défauts comme mécanisme dominant du transport dans ces structures.
Based on the MBE growth and the simulation of GaAs tunnel junctions, we have identified interband tunneling as the predominant transport mechanism in such devices rather than trap-assisted-tunneling.
A ce sujet, cette thèse apporte une contribution nouvelle, en explorant le processus de dopage de type n et p des nanofils (NFs) de GaN crus par épitaxie par jets moléculaires (EJM).
This thesis advances the field by exploring the n and p type doping process of GaN nanowires (NWs) grown by molecular beam epitaxy (MBE).
Le matériau GaN est obtenue par épitaxie sous jets moléculaires (EJM) essentiellement sur substrat Si(111).
The GaN material is mainly grown by molecular beam epitaxy (MBE) on silicon (111) substrate.
La vapeur de Sn est produite en chauffant de l'oxyde de Sn dont est garnie une cellule d'un appareil d'EJM.
The Sn vapor is produced by heating Sn oxide that is filled in a cell of an MBE apparatus.
L'invention a pour objet de réaliser la croissance épitaxiale d'un film cristallin de Ga2O3 sur un substrat cristallin de Ga2O3 en utilisant un procédé d'EJM, tout en régulant la conductivité de type n avec une grande précision.
A Ga2O3 crystal film is epitaxially grown on a Ga2O3 crystal substrate using an MBE method, while controlling the n-type conductivity with high accuracy.
Puis, nous intégrons une cellule à simple jonction GaSb sur un substrat de Si par épitaxie par jet moléculaire (EJM).
Then, we integrate a GaSb single-junction cell on a Si substrate by molecular beam epitaxy (MBE).
L'invention concerne un procédé de production d'un film cristallin de Ga2O3, caractérisé en ce qu'un film cristallin conducteur en Ga2O3 est formé par croissance épitaxiale en utilisant un procédé d'EJM.
Provided is a method for producing a Ga2O3 crystal film, wherein a conductive Ga2O3 crystal film is formed by epitaxial growth using an MBE method.
Nous observons clairement la transition d'une croissance bidimensionnelle à une croissance tridimensionnelle suite à l'accroissement de la température de croissance EJM (Épitaxie par Jets Moléculaires) de 600 ºC à 660 ºC.
A transition from 2 dimensional to 3 dimensional crystal growth due to an increase of the MBE (molecular beam epitaxy) growth temperature from 600º C to 660º C is clearly observed.
Les échantillons ont été caractérisés soit ex situ après croissance sur la ligne de lumière ID01, soit in situ durant leur croissance par EJM grâce au dispositif dédié sur la ligne BM32.
The samples were either prepared in independent MBE chambers and then characterized ex situ on the ID01 ESRF beamline, or they were characterized in situ during their MBE growth, using the BM32 ESRF beamline setup.
