un transistor LDMOS classique comprend une zone de dérive au centre
a typical LDMOS transistor has a drift region in the center
Des modes de réalisation de la présente invention ont trait à un dispositif LDMOS et à son procédé de fabrication.
An LDMOS device and a method for fabricating the same are disclosed in embodiments of the present invention.
Le dispositif LDMOS comprend un corps de semi-conducteur.
The LDMS device comprises a semiconductor body.
La présente invention résout la contradiction entre une tension de claquage de source-drain et une exigence d'optimisation d'une résistance d'allumage, et améliore les performances du dispositif LDMOS.
The present invention resolves the contradiction between a source-drain breakdown voltage and an optimization requirement of a turn-on resistor, and improves the performance of the LDMS device.
D'autres équilibres entre les caractéristiques des transistors LDMOS font l'objet de recherches afin d'améliorer leurs performances.
Additional trade-offs between the characteristics of LDMOS transistors are subject of research in order to further improve their performance.
la présente invention concerne des systèmes et des procédés de polarisation automatique de dispositifs LDMOS à l'allumage
disclosed are systems and methods for automatic biasing of LDMOS devices at turn-on
L'invention concerne un dispositif LDMOS comprenant une couche enfouie de diffusion latérale sous la grille, ainsi qu'un procédé de fabrication de celui-ci.
An LDMOS device with a lateral diffusion buried layer under the gate and a method for fabricating the same are provided.
les paramètres physiques combinés du dispositif LDMOS et de la fixation de test sont déterminés
the combined physical parameters of the LDMOS device and the test fixture are determined
une structure de transistor à semi-conducteur LDMOS qui comprend un substrat comprenant une couche épitaxiale d'un premier type de conductivité
an LDMOS semiconductor transistor structure comprises a substrate having an epitaxial layer of a first conductivity type
Ce transistor LDMOS est amené à l'état conducteur en même temps que le transistor de puissance inférieur.
The LDMOS transistor is driven into a conducting state at the same time the lower power transistor is driven into a conducting state.
Cette invention concerne un dispositif à semi-conducteur métal oxyde à diffusion latérale (LDMOS) à structure à superjonction multicouche.
A laterally diffused metal oxide semiconductor (LDMOS) device with a multi-layer super-junction structure is provided.
Le courant de repos de drain est le courant de drain dudit ou desdits transistors LDMOS lorsque le signal d'entrée est enlevé instantanément.
The quiescent drain current is the drain current of the at least one LDMOS transistor when the input signal is instantaneously removed.
Ce dernier trouve place dans un puits isolé et l'émulateur de diode présente, en tant qu'élément porteur de courant principal, un transistor LDMOS formé le long de la périphérie du puits.
The upper drive is accommodated in an insulated well and the diode emulator includes as its main current carrying element, an LDMOS transistor formed along the periphery of the well.
