Vertaling van "OxRAM" in Engels
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Dans la base de la puce est une technologie OxRAM.
At the heart of the chip is the technology OxRAM.
Une étude des propriétés du transport électronique dans les dispositifs OxRAM est également de première importance.
A study of the electronic transport properties in OxRAM devices is also of primary importance.
Surmonter ces inconvénients exige une compréhension plus profonde des principes de fonctionnement de l'OxRAM, jusqu'à présent pas complètement compris.
Overcoming these drawbacks requires a deeper comprehension of the OxRAM working principles, so far not completely understood.
Néanmoins, les dispositifs OxRAM émergents présentent encore certains inconvénients, comme la non-uniformité des paramètres de commutation et les défaillances de commutation.
Nevertheless, emerging OxRAM devices still present some drawbacks, like non-uniformity of switching parameters and switching failures.
Nous avons ainsi réalisé des tests électriques sur des matrices OxRAM, que nous avons tenté de reproduire avec le modèle.
Electrical tests on OxRAM arrays have been performed, and fitted by the model.
La variabilité des dispositifs OxRAM est ensuite évaluée expérimentalement par caractérisation électrique, en utilisant des méthodes statistiques, à la fois sur des dispositifs isolés et dans une matrice complète de mémoire.
The OxRAM resistance variability is evaluated experimentally through electrical characterization, gathering statistics on both single memory cells and at array level.
La tolérance du circuit neuromorphique à la variabilité des OxRAM est enfin démontrée grâce à des tâches de reconnaissance de motifs visuels complexes, comme par exemple des caractères manuscrits ou des panneaux de signalisations routières.
Robustness to OxRAM variability is demonstrated with complex visual pattern recognition tasks such as handwritten characters and traffic signs recognition.
Ensuite, nous avons analysé les impacts que la réduction du temps de pulse, ainsi que l'abaissement des courants et tensions mis en jeu, peuvent avoir sur la fiabilité des OxRAM, avec des mesures de variabilité.
Then, the impacts that the time reduction, and the lowering of the voltage and current, can have on the reliability of OxRAM, were analysed, with variability measurements.
Par exemple, dans la mémoire à base d'oxydes (OxRAM), un filament conducteur est développé à l'intérieur de la couche d'oxyde, reliant les deux électrodes.
For example, in oxide based random-access memory (OxRAM), a conductive filament is grown inside the oxide layer, linking the two electrodes.
Les mémoires OxRAM ont été largement étudiées au cours des dernières années en raison de leurs nombreux avantages, tels qu'une bonne évolutivité en matière de réduction de taille, une longue rétention, une vitesse de lecture et d'écriture rapide et une faible consommation d'énergie.
Over the last few years OxRAM has been widely investigated due to many advantages like good scalability, long data retention time, fast read&write speed and low power consumption.
Ce travail propose une approche plus fiable basée sur les calculs QP, qui fournissent une structure électronique plus précise pour calculer la conductance, et teste en grande partie cette nouvelle méthode sur différentes jonctions imitant les dispositifs OxRAM.
This work proposes a more reliable approach based on QP calculations, which provide a more accurate electronic structure to compute the conductance, and largely tests this new method on different junctions mimicking OxRAM devices.
Dans les structures MIM pour OxRAM, la formation et la rupture d'un filament conducteur de taille nanométrique sont communément acceptées comme étant le phénomène physique de la commutation, mais un débat est toujours en cours pour comprendre la nature et les caractéristiques du filament conducteur.
In MIM structures for OxRAM, forming and disruption of the nanometer sized conductive filament is commonly accepted as the physical phenomenon for the switching, but still a debate is going on to understand the nature and characteristics of the conductive filament.
Ce travail présente donc une étude approfondie de HfO₂, qui fait partie des matériaux les plus prometteurs pour la construction de dispositifs OxRAM, au moyen de calculs précis des états de quasi-particules (QP).
Hence this work presents a careful characterization of HfO₂, which is within the most promising materials to build OxRAM devices, by means of accurate quasi-particle (QP) calculations.
