The phase change memory has a plurality of block units.
Also described are various methods of making such phase change memory device structure.
Divers procédés de fabrication d'une telle structure de dispositif de mémoire à changement de phase sont également décrits.
calibration system for writing and reading multiple states into phase change memory
A write module selectively writes at least one of the M phase change memory cells based on a write parameter.
Un module d'écriture écrit de manière sélective au moins l'une des cellules de mémoire de changement de phase M, en fonction d'un paramètre d'écriture.
PVD process and chamber for the pulsed deposition of a chalcogenide material layer of a phase change memory device
A phase change memory device that utilizes a nanowire structure.
L'invention concerne un dispositif de mémoire à changement de phase qui utilise une structure à nanofil.
A planar phase change memory cell with parallel electrical paths.
L'invention concerne une cellule de mémoire à changement de phase plane avec des chemins électriques parallèles.
Technology for writing data to a phase change memory array is disclosed.
L'invention concerne une technologie pour écrire des données dans une matrice de mémoire à changement de phase.
Self-aligned process for manufacturing phase change memory cells
Procédé auto-aligné de fabrication des cellules de mémoire à changement de phase
method and structure for peltier-controlled phase change memory
procédé et structuré pour mémoire à changement de phase contrôlée de peltier
Methods, devices, and systems associated with phase change memory structures are described herein.
La présente invention concerne des procédés, dispositifs et systèmes associés à des structures de mémoire à changement de phase.
and performing a single pulse erase of the resistive change memory cell
et la réalisation d'un effacement par impulsion unique de la cellule de mémoire à changement résistif
structure and method for biasing phase change memory array for reliable writing
structure et procédé pour polariser un réseau de mémoire à changement de phase à des fins d'écriture fiable