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de programmation/effacement

Vertaling van "de programmation/effacement" in Engels

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program/erase
programming/erase
Des techniques sont décrites ici permettant de programmer des matrices mémoire afin d'obtenir une endurance élevée du cycle de programmation/effacement.
Techniques are disclosed herein for programming memory arrays to achieve high program/erase cycle endurance.
selon un premier potentiel de programmation/effacement; une grille flottante
at a first program/erase potential, a floating gate
la grille flottante de chaque cellule, couplée capacitivement à une grille de commande, est programmée par effet tunnel de fowler-nordheim grâce à une couche d'oxyde à effet tunnel placée au-dessus d'une ligne de programmation/effacement dans le substrat du circuit intégré
the floating gate of each cell, which is capacitively coupled to a control gate, is programmed by fowler-nordheim tunneling through an tunneling oxide above a programming/erase line in the integrated circuit substrate
selon un second potentiel de programmation/effacement ayant un premier type de conductivité; ainsi que des régions drain et source dans le puits de canal
at a second program/erase potential having a first conductivity type, and drain and source regions within the channel well
Par conséquent, seules sont effacées les données d'un sous-bloc logique, qui sont reprogrammées, alors que les données non modifiées de l'autre sous-bloc logique évitent des cycles superflus de programmation/effacement.
Therefore, only the data of the logical sub-block is erased and reprogrammed while unmodified data in the other logical sub-block avoids unnecessary program/erase cycles.
La distribution serrée de la tension Vt et le changement de tension Vt très stable d'un cycle de programmation/effacement à l'autre permettent de réaliser une cellule multiniveau pouvant comporter plus de deux bits par cellule.
The tight Vt distribution and very stable Vt shift over program/erase cycling allows for a multi-level cell capable of having more than 2 bits per cell.
l'invention porte sur un procédé comprenant la réalisation d'un cycle de programmation/effacement sur un premier bit de mémoire non volatile (NVM) d'un circuit intégré en utilisant une première fluence, le premier bit de NVM ayant une première transconductance
a method including performing a program/erase cycle on a first non-volatile memory (NVM) bit of an integrated circuit using a first fluence, wherein the first NVM bit has a first transconductance is provided
La première partie du cycle de programmation/effacement se déroule avant la seconde partie du cycle de programmation/effacement.
The first portion of the program/erase cycle occurs in time before the second portion of the program/erase cycle.
En appliquant un champ électrique élevé à la grille de commande du module de mémoire flash, des modes de réalisation de l'invention atténuent la dégradation provoquée par les cycles de programmation/effacement des cellules à un seul niveau ou multiniveaux dudit module.
By applying a high electric field to the control gate of the flash memory module, embodiments of the invention improve the Program/ Erase cycling degradation of the single-level or multi-level cells of the flash memory module.
PROCÉDÉ ET APPAREIL DE PROGRAMMATION/EFFACEMENT D'UNE MÉMOIRE NON VOLATILE
METHOD AND APPARATUS FOR PROGRAMMING/ERASING A NON-VOLATILE MEMORY
L'évaluation et l'ajustement peuvent être répétés après un nombre spécifié de cycles de programmation/effacement d'un sous-bloc associé, par exemple.
The evaluation and adjustment can be repeated such as after a specified number of program-erase cycles of an associated sub-block.
Sous l'effet d'une polarisation inverse, une région d'appauvrissement profond se forme dans la région de la ligne de programmation/effacement pour bloquer l'effet tunnel.
Under reverse bias, a deep charge depletion region is formed in the programming/erase line region to block tunneling.
on obtient ainsi une cellule de mémoire à surface réduite, permettant un grand nombre de cycles de programmation/effacement.
the inventive method provides a memory cell that requires a minimum of space and allows for a high quantity of program/erase cycles.
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Synoniemen voor de programmation/effacement in het Frans

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