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Par fourniture de la région de diffusion de type p (5), l'extraction de trous concentrés dans la région d'anode de type p est supprimée durant une récupération inverse, et ainsi un dispositif semi-conducteur ayant une tolérance de récupération inverse élevée peut être fourni.
By providing the p diffusion region (5), the extraction of holes concentrated in the p anode region is suppressed during reverse recovery, and thus a semiconductor device having high reverse recovery tolerance can be provided.
Dans la région (3) de diffusion de type p, un potentiel intermédiaire (VS) est appliqué, et un NMOS (13) du circuit d'attaque côté haut y est disposé.
In the p diffusion region (3), an intermediate potential (VS) is applied, and an NMOS (13) of the high-side drive circuit is disposed.
Lorsque la composition est appliquée en vue de la formation d'une couche de diffusion d'impuretés et est soumise à un traitement de diffusion thermique, une couche de diffusion de type n ou une couche de diffusion de type p sont formées.
By applying the composition for impurity diffusion layer formation and subjecting the applied composition to a thermal diffusion treatment, an n-type diffusion layer or a p-type diffusion layer is produced.
un conducteur d'électrode de grille placé sur une partie supérieure de la surface du substrat en position contiguë à la zone de diffusion de type p ou de type n
a gate electrode conductor which is disposed on an upper portion of the surface of the substrate to be adjacent to the n-type or p-type diffusion area
la première couche barrière possède une couche de diffusion de type n et la seconde couche barrière possède une couche de diffusion de type p
the first barrier layer has an n-type diffusion layer and the second barrier layer has a p-type diffusion layer
une photodiode comportant une jonction de zone de diffusion de type p et d'une zone de diffusion de type n situées verticalement sous une surface du substrat
a photodiode constructed with a junction of a p-type diffusion area and an n-type diffusion area which are formed under a surface of the substrate in a vertical direction
une région de substrat de type n + fortement dopée est formée sur la deuxième surface principale de la région de diffusion de type p et de la région de diffusion de type n
a heavily doped n +-type substrate region is formed on the second major surface side of the p-type diffusion region and the n-type diffusion region
l'élément protégé comporte une région de diffusion de type n de drain et une région de diffusion de type p à concentration faible qui est contigüe à la région de diffusion de type n de drain
the protected element is provided with a drain n-type diffusion region and a low concentration p-type diffusion region which is contiguous to the drain n-type diffusion region
la photodiode est réalisée sur une partie supérieure du substrat et comprend une zone de diffusion de type p et une zone de diffusion de type n qui sont jointes l'une à l'autre en sens longitudinal
the photodiode is formed at an upper portion of the substrate and includes a p-type diffusion area and an n-type diffusion area which are joined with each other in a longitudinal direction
La présente invention concerne une composition pour la formation d'une couche de diffusion de type p, comportant : au moins un composé du bore choisi entre le nitrure de bore et le carbure de bore ; et un milieu de dispersion.
This p-type diffusion layer formation composition comprises: at least one boron compound selected from boron nitride and boron carbide; and a dispersion medium.
une cellule solaire comprenant des doigts de contact métallique négatif connectés électriquement à des zones de diffusion de type n de la cellule solaire et des doigts de contact métallique positif connectés électriquement à des zones de diffusion de type p de la cellule solaire
a solar cell includes negative metal contact fingers electrically connected to n-type diffusion regions of the solar cell and positive metal contact fingers electrically connected to p-type diffusion regions of the solar cell
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