Vertaling van "drain-source" in Engels
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L'épaisseur de la zone de migration détermine la tension de claquage drain-source.
The thickness of the drift region determines the drain-source breakdown voltage.
Le courant drain-source dans ce canal peut être maîtrisé grâce aux changements de la tension de grille.
The drain-source current through this channel is controllable via changes of the gate voltage.
en l'occurrence, la vt1 est la tension drain-source à laquelle apparaît l'action bipolaire parasite du transistor à canal n
vt1 is the drain-to-source voltage point at which the parasitic bipolar action of the n-channel transistor first occurs
Un circuit commutateur comparateur (32, 36) réagit au dépassement d'une valeur de tension de référence par la tension drain-source du FET et produit le verrouillage de la tension porte-source sur une tension réduite prédéterminée.
A comparator switch circuit (32, 36) is responsive to the drain-to-source voltage of the FET exceeding a reference voltage value for clamping the gate-to-source voltage to a predetermined reduced voltage.
appliquée à une section drain-source de chacun des transistors à effet de champ
dont les sections drain-source sont montées en série et le circuit de sortie
with drain source paths which are switched together in series, and that the output circuit
En d'autres termes, le drain-source conduit déjà, même en l'absence de tension de polarisation.
In other words, the drain-source already conducts, even when no bias voltage is applied.
et une ou plusieurs valeurs de paramètre de courant de drain-source d'étage de puissance
and at least one power stage drain-source current parameter value
Un état raisonnablement lumineux est un état dans lequel l'émission de lumière approche la valeur la plus importante pour un courant drain-source donné dans le transistor électroluminescent.
A reasonably bright state is a state in which light emission approaches the greatest for a given drain-source current in the light-emitting transistor.
Dans l'état de blocage, la région de corps épitaxial subit une déplétion du fait de l'application d'une tension drain-source, et ainsi il se produit verticalement une condition du type tension de perçage.
In the blocking state the epitaxial body region is depleted due to applied drain-source voltage, hence a punch-through type condition occurs vertically.
Une application de tension de polarisation drain-source sur le dispositif à semi-conducteur génère une technique de perçage sur le puits afin d'initier un écoulement de courant entre source et le drain.
An application of a drain-source bias voltage to the semiconductor device generates a punch through mechanism across the well to initiate a flow of current between the source and the drain.
Le nombre de transistors supplémentaires et les tensions de porte à polarisations fixes sont choisis de manière à limiter les excursions de tension drain-source les plus fortes sur le transistor sensible sous certaines conditions déterminées de marche.
The number of additional transistors are selected to limit the peak drain-source voltage excursion on the sensitive transistor under operating conditions.
Un amplificateur d'erreur fournit en sortie une valeur de tension proportionnelle à une différence entre une tension drain-source du transistor de charge et une tension de référence.
An error amplifier outputs a voltage value proportional to a difference between a drain-source voltage of the load transistor and a reference voltage.
