un transistor LDMOS classique comprend une zone de dérive au centre
a typical LDMOS transistor has a drift region in the center
Des modes de réalisation de la présente invention ont trait à un dispositif LDMOS et à son procédé de fabrication.
An LDMOS device and a method for fabricating the same are disclosed in embodiments of the present invention.
Le dispositif LDMOS comprend un corps de semi-conducteur.
The LDMS device comprises a semiconductor body.
La présente invention résout la contradiction entre une tension de claquage de source-drain et une exigence d'optimisation d'une résistance d'allumage, et améliore les performances du dispositif LDMOS.
The present invention resolves the contradiction between a source-drain breakdown voltage and an optimization requirement of a turn-on resistor, and improves the performance of the LDMS device.
procédé de caractérisation de dispositifs ldmos au niveau du plan de référence de la puce
method for characterization of ldmos devices at the die reference plane
boîtier de transistor de puissance ldmos à plusieurs chemins de signaux de terre
ldmos power package with a plurality of ground signal paths
transistor ldmos haute tension à structure isolée
high voltage ldmos transistor having an isolated structure
région fortement dopée dans un transistor mosfet de source à double diffusion (ldmos) et procédé de fabrication associé
heavily doped region in double-diffused source mosfet (ldmos) transistor and a method of fabricating the same
structure ldmos avec source de mise à la terre par traversée
ldmos structure with via grounded source
transistor ldmos à haute tension et à basse résistance à l'état passant possédant une capacitance égalisée
high voltage and low on-resistance ldmos transistor having equalized capacitance
dispositif ldmos soi ht à diode intégrée destinée à améliorer la fiabilité et la résistance aux ruptures en avalanche du dispositif
hv-soi ldmos device with integrated diode to improve reliability and avalanche ruggedness
D'autres équilibres entre les caractéristiques des transistors LDMOS font l'objet de recherches afin d'améliorer leurs performances.
Additional trade-offs between the characteristics of LDMOS transistors are subject of research in order to further improve their performance.
la présente invention concerne des systèmes et des procédés de polarisation automatique de dispositifs LDMOS à l'allumage
disclosed are systems and methods for automatic biasing of LDMOS devices at turn-on
