The phase change memory has a plurality of block units.
Also described are various methods of making such phase change memory device structure.
A write module selectively writes at least one of the M phase change memory cells based on a write parameter.
Un module d'écriture écrit de manière sélective au moins l'une des cellules de mémoire de changement de phase M, en fonction d'un paramètre d'écriture.
a phase change memory is formed of two vertically spaced layers of phase change material
on peut former une mémoire de changement de phase de deux couches verticalement espacées de matériau à changement de phase
A phase change memory device that utilizes a nanowire structure.
L'invention concerne un dispositif de mémoire à changement de phase qui utilise une structure à nanofil.
A planar phase change memory cell with parallel electrical paths.
L'invention concerne une cellule de mémoire à changement de phase plane avec des chemins électriques parallèles.
Technology for writing data to a phase change memory array is disclosed.
L'invention concerne une technologie pour écrire des données dans une matrice de mémoire à changement de phase.
Self-aligned process for manufacturing phase change memory cells
Procédé auto-aligné de fabrication des cellules de mémoire à changement de phase
Methods, devices, and systems associated with phase change memory structures are described herein.
La présente invention concerne des procédés, dispositifs et systèmes associés à des structures de mémoire à changement de phase.
phase change memory cell with transparent conducting oxide as electrode contact material
cellule mémoire à changement de phase doté d'un oxyde conducteur transparent comme matière de contact électrode
structure and method for biasing phase change memory array for reliable writing
structure et procédé pour polariser un réseau de mémoire à changement de phase à des fins d'écriture fiable
An example embodiment disclosed is a method for fabricating a phase change memory cell.
Un mode de réalisation à titre d'exemple de l'invention est un procédé servant à fabriquer une cellule mémoire à changement de phase.
techniques for reading phase change memory that mitigate resistance drift
des techniques pour lire une mémoire à changement de phase qui atténuent les dérives de résistance