La porte de commande comprend un profil en pente pour améliorer la fiabilité.
The control gate incorporates a sloped profile to enhance reliability.
une porte de commande est produite sur la couche de blocage de charge
architecture de mémoire à schéma amélioré de porte de commande tolérant un écrasement
memory architecture with enhanced over-erase tolerant control gate scheme
Par conséquent, seul un côté de la porte de commande est en contact avec un film isolant de blocage.
Therefore, only one side of the control gate is in contact with a blocking insulating film.
mémoire non volatile et procédé doté d'une compensation de porte de commande pour erreurs non centrées de ligne source
non-volatile memory and method with control gate compensation for source line bias errors
De plus, la porte de commande est séparée dans une direction parallèle au substrat au moyen d'un film isolant de barrière.
In addition, the control gate is separated in a direction parallel to the substrate through a barrier insulating film.
ledit orifice de commande est alternativement ouvert ou fermé par une porte de commande
the control port is alternatively opened or closed by a control gate
Ce conducteur de porte de commande remplit le vide dans la partie centrale du conducteur de grille flottante.
The control gate conductor fills the void in the center portion of the floating gate conductor.
Les cellules de mémoire basées sur un thyristor comprennent chacune un thyristor présentant des régions superposées verticalement de types de dopant alternés, et une porte de commande.
The thyristor-based memory cells each include a thyristor having vertically superposed regions of alternating dopant types, and a control gate.
les premier et deuxième sous-circuits comprennent un transistor de référence comportant une porte de commande divisée en deux parties
both of the first and second sub-circuits include a reference transistor having its control gate broken into two parts
Le dispositif de mémoire non volatile se programme et/ou s'efface par transfert de charge entre la porte flottante et la porte de commande via la seconde région diélectrique.
The non-volatile memory device is programmed and/or erased by transferring charge between the floating gate and the control gate via the second dielectric region.
Dans certains modes de réalisation, on utilise les procédés précités pour former une couche de carbure métallique qui détermine le travail d'extraction d'une porte de commande dans une mémoire flash.
In some embodiments, the methods are used to form a metal carbide layer that determines the work function of a control gate in a flash memory.
Le circuit comprend un dispositif semiconducteur à porte flottante comportant une porte flottante, une porte de commande, un drain et une source.
The circuit comprises a floating gate semiconductor device having a floating gate, a control gate, a drain and a source.