Vertaling van "programmation/effacement" in Engels
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program/erase
programming/erase
Des techniques sont décrites ici permettant de programmer des matrices mémoire afin d'obtenir une endurance élevée du cycle de programmation/effacement.
Techniques are disclosed herein for programming memory arrays to achieve high program/erase cycle endurance.
selon un premier potentiel de programmation/effacement; une grille flottante
Sous l'effet d'une polarisation inverse, une région d'appauvrissement profond se forme dans la région de la ligne de programmation/effacement pour bloquer l'effet tunnel.
Under reverse bias, a deep charge depletion region is formed in the programming/erase line region to block tunneling.
la grille flottante de chaque cellule, couplée capacitivement à une grille de commande, est programmée par effet tunnel de fowler-nordheim grâce à une couche d'oxyde à effet tunnel placée au-dessus d'une ligne de programmation/effacement dans le substrat du circuit intégré
the floating gate of each cell, which is capacitively coupled to a control gate, is programmed by fowler-nordheim tunneling through an tunneling oxide above a programming/erase line in the integrated circuit substrate
selon un second potentiel de programmation/effacement ayant un premier type de conductivité; ainsi que des régions drain et source dans le puits de canal
at a second program/erase potential having a first conductivity type, and drain and source regions within the channel well
Par conséquent, seules sont effacées les données d'un sous-bloc logique, qui sont reprogrammées, alors que les données non modifiées de l'autre sous-bloc logique évitent des cycles superflus de programmation/effacement.
Therefore, only the data of the logical sub-block is erased and reprogrammed while unmodified data in the other logical sub-block avoids unnecessary program/erase cycles.
La distribution serrée de la tension Vt et le changement de tension Vt très stable d'un cycle de programmation/effacement à l'autre permettent de réaliser une cellule multiniveau pouvant comporter plus de deux bits par cellule.
The tight Vt distribution and very stable Vt shift over program/erase cycling allows for a multi-level cell capable of having more than 2 bits per cell.
l'invention porte sur un procédé comprenant la réalisation d'un cycle de programmation/effacement sur un premier bit de mémoire non volatile (NVM) d'un circuit intégré en utilisant une première fluence, le premier bit de NVM ayant une première transconductance
a method including performing a program/erase cycle on a first non-volatile memory (NVM) bit of an integrated circuit using a first fluence, wherein the first NVM bit has a first transconductance is provided
La première partie du cycle de programmation/effacement se déroule avant la seconde partie du cycle de programmation/effacement.
The first portion of the program/erase cycle occurs in time before the second portion of the program/erase cycle.
contiguës et parallèles à la ligne de programmation/effacement se trouvent une ou plusieurs lignes de commande de l'effet tunnel, qui forment une jonction PN à proximité de la région de la ligne de programmation/effacement située au-dessous de la couche d'oxyde à effet tunnel
contiguous and parallel to the programming/erase line is at least one tunneling control line which forms a PN junction in close proximity to the programming/erase line region under the tunneling oxide
L'évaluation et l'ajustement peuvent être répétés après un nombre spécifié de cycles de programmation/effacement d'un sous-bloc associé, par exemple.
The evaluation and adjustment can be repeated such as after a specified number of program-erase cycles of an associated sub-block.
En appliquant un champ électrique élevé à la grille de commande du module de mémoire flash, des modes de réalisation de l'invention atténuent la dégradation provoquée par les cycles de programmation/effacement des cellules à un seul niveau ou multiniveaux dudit module.
By applying a high electric field to the control gate of the flash memory module, embodiments of the invention improve the Program/ Erase cycling degradation of the single-level or multi-level cells of the flash memory module.
Ensuite, le système selon l'invention calcule de façon dynamique une tension de passage actuelle pour la lecture, sur la base du nombre de cycles de programmation/effacement, de la première tension de passage pour lecture et de la tension de passage de début de lecture respective.
The system dynamically calculates a current read pass voltage based on the number of program/erase erase cycles, the first read pass voltage and the respective starting read pass voltage.
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Synoniemen voor programmation/effacement in het Frans
