Vertaling van "second dbr" in Engels
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la présente invention porte sur un dispositif laser à cavité verticale émettant par la surface (VCSEL) comprenant un milieu de gain optique agencé entre un premier réflecteur de bragg distribué (DBR) et un second DBR
the present invention relates to a VCSEL device comprising an optical gain medium arranged between a first DBR and a second DBR
l'élément optique présente une surface concave faisant face au second DBR et étant conçue pour réfléchir une partie du rayonnement laser émis à travers le second DBR vers l'arrière dans la cavité laser
the optical element has a concave surface facing the second DBR and being designed to reflect a portion of laser radiation emitted through the second DBR back into the laser cavity
les premier et second DBR forment une cavité laser et sont conçus pour permettre une émission laser autonome dans la cavité laser, ledit second DBR étant partiellement transparent à un rayonnement laser résonnant dans la cavité laser
the first and the second DBR form a laser cavity and are designed to allow self-contained lasing in the laser cavity, said second DBR being partially transparent for laser radiation resonating in the laser cavity
un second DBR est obtenu par croissance épitaxiale sur la seconde couche barrière, le second DBR étant obtenu par croissance épitaxiale à l'aide d'un MOCVD
a second DBR is epitaxially grown on the second cladding layer wherein the second DBR is epitaxially grown using MOCVD
un élément optique est agencé sur un côté du second DBR à l'extérieur de la cavité laser sur l'axe optique de la cavité laser
an optical element is arranged on a side of the second 5 DBR outside of the laser cavity on the optical axis of the laser cavity
ce dispositif possède aussi une lentille optique située sur le second côté du substrat GaAs entre la première et la seconde structure d'émission, et un second DBR appartenant à la première structure d'émission entre la lentille optique et la seconde structure d'émission.
this device also has an optical lens positioned on the second side of the GaAs substrate between the first emitting structure and the second emitting structure, and a second upper DBR belonging in the first emitting structure between the optical lens and the second emitting structure.
