Dans les deux cas, le courant source-drain est modulé par la tension de grille.
In both cases, the current source-drain is modulated by the grid voltage.
procédé de formation d'une couche enrobante de silicium pour source-drain encastré
method of forming conformal silicon layer for recessed source-drain
ce qui rend le transistor moins sensible à un claquage source-drain
thereby rendering the transistor less susceptible to source-to-drain punch through
Ces résistances comprennent de préférence une batterie de transistors ayant des valeurs de résistance source-drain qui sont des multiples binaires les uns des autres.
The pull-up and pull-down resistors preferably comprise a bank of transistors having source-to-drain resistance values that are binary multiples of each other.
on établit une configuration "poly" ainsi que des implants source-drain
a poly i pattern is established, along with source drain implants
implantation de transistor haute fréquence pour capacitance source-drain faible
high frequency transistor layout for low source drain capacitance
formant un chemin source-drain entre le potentiel à la terre
forming a source-drain path between the ground potential
monté sur une ligne de câblage contenant le trajet source-drain d'un transistor d'attaque
mounted on a wiring line containing the source-drain path of a drive transistor
une borne de sortie est couplée à une jonction desdits parcours source-drain connectés en série
an output terminal is coupled to a junction of said series connected source-drain paths
Une tension d'entrée est utilisée pour générer un courant de source-drain souhaité au moyen d'un transistor exploité avec un faible pourcentage d'utilisation.
An input voltage is used for generating a desired source-drain current using a transistor operated with low duty cycle.
Grâce à un procédé technique simple, la présente invention permet de réduire la résistance parasite de source-drain et augmente les propriétés électriques d'un dispositif de puissance radioélectrique.
With a simple technical process, the present invention reduces source-drain parasitic resistance and increases electrical properties of a radio-frequency power device.
Un premier clip est connecté au drain du premier transistor et relié électriquement à la ou aux broches de source-drain communes.
A first clip is attached to the drain of the first transistor and electrically connected to the one or more common source-drain leads.
Ce courant de source-drain passe ensuite à travers un transistor de commande et la tension de porte-source résultante est stockée dans un condensateur pour commander par la suite l'élément d'affichage.
This source-drain current is then passed through a drive transistor and the resulting gate-source voltage is stored on a capacitor for subsequent driving of the display element.
