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LED structures
L'invention concerne de nouvelles structures de DEL présentant un rendement amélioré en ce qui concerne l'extraction de lumière.
This invention describes new LED structures that provide increased light extraction efficiency.
L'invention concerne un procédé de fabrication de structures de DEL verticales, dans lequel le substrat utilisé pour la croissance des couches épitaxiales est retiré par polissage.
A method for fabricating vertical LED structures is provided, in which the substrate used for epitaxial layer growth is removed through polishing.
des structures de DEL comprenant des structures d'élément de volume/éléments nanométriques sont décrites. un procédé pour produire un dispositif à semi-conducteurs selon l'invention est également présenté.
LED structures comprising nanoelement-volume element structures are disclosed. a method for producing a semiconductor device according to the invention is also presented.
Des structures de DEL comprenant des structures d'élément de volume/éléments nanométriques (100,105) sont décrites.
LED structures comprising nanoelement-volume element structures (100,105) are disclosed.
Des ensembles de structures de DEL GaN 3D sous-microniques ont été développés à l'aide de processus optimisés sur les modèles fabriqués soit avec la lithographie traditionnelle, soit la lithographie par nano-impression.
Arrays of sub-micron 3D GaN LED structures were grown with optimised processes on patterned templates fabricated either by employing conventional or nanoimprint lithography.
ces nouvelles structures de DEL comprennent des réseaux de micro-DEL électriquement interconnectées qui comportent une couche active intercalée entre deux couches à dopage opposé
the new LED structures include arrays of electrically interconnected micro-LEDs that have an active layer sandwiched between two oppositely doped layers
Les structures de DEL classiques multi-puits quantiques (MQW) InGaN/GaN sont développées sur une template GaN et utilisent du GaN comme couches barrières.
The conventional InGaN multi-quantum-well (MQW) LED structures are grown on GaN buffer and use GaN as barrier layers.
La présente invention peut être utilisée particulièrement avec des structures de DEL à spectre rouge et rouge lointain.
The present invention has particular use with red and far red spectrum LED constructions.
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