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structures silicium sur isolant
Vertaling van "structures silicium sur isolant" in Engels
silicon-on-insulator structures
procédés de nettoyage de surfaces de substrats convenant pour la fabrication de structures silicium sur isolant
methods for substrate surface cleaning suitable for fabricating silicon-on-insulator structures
Les structures silicium sur isolant comprennent une plaquette de manipulation, une couche de silicium et une couche diélectrique entre la plaquette de manipulation et la couche de silicium.
The silicon-on-insulator structures comprises a handle wafer, a silicon layer, and a dielectric layer between the handle wafer and the silicon layer.
PROCÉDÉS DE NETTOYAGE DE SURFACES DE SUBSTRATS CONVENANT POUR LA FABRICATION DE STRUCTURES SILICIUM SUR ISOLANT
METHODS FOR SUBSTRATE SURFACE CLEANING SUITABLE FOR FABRICATING SILICON-ON-INSULATOR STRUCTURES
L'invention porte également sur des procédés de fabrication de telles structures silicium sur isolant.
Methods for producing such silicon on insulator structures are also provided.
L'invention porte sur la préparation de structures silicium sur isolant comportant des régions non liées réduites et sur des procédés pour produire de telles tranches en réduisant à un minimum la quantité de dispersion (ROA) des tranches de manipulation et donneuses.
The disclosure relates to preparation of silicon on insulator structures with reduced unbonded regions and to methods for producing such wafers by minimizing the roll-off amount (ROA) of the handle and donor wafers.
STRUCTURES SILICIUM SUR ISOLANT À RÉGIONS À RÉSISTIVITÉ ÉLEVÉE DANS TRANCHE DE TRAITEMENT ET PROCÉDÉS DE FABRICATION DE TELLES STRUCTURES
SILICON ON INSULATOR STRUCTURES HAVING HIGH RESISTIVITY REGIONS IN THE HANDLE WAFER AND METHODS FOR PRODUCING SUCH STRUCTURES
PROCÉDÉS POUR RÉDUIRE LA LARGEUR DE LA RÉGION NON LIÉE DANS DES STRUCTURES SILICIUM SUR ISOLANT (SOI) ET DES TRANCHES, ET STRUCTURES SOI PRODUITES PAR CES PROCÉDÉS
METHODS FOR REDUCING THE WIDTH OF THE UNBONDED REGION IN SOI STRUCTURES AND WAFERS AND SOI STRUCTURES PRODUCED BY SUCH METHODS
L'invention concerne un procédé de création de structures de semi-conducteur sur isolant de haute qualité, par exemple, des structures silicium sur isolant (SOI), utilisant une implantation de doses d'oxygène inférieures à la stoechiométrie à des énergies différentes.
The present invention provides a method for creation of high quality semiconductor-on-insulator structures, e.g., silicon-on-insulator structures, using implantation of substoichiometric doses of oxygen at multiple energies.
L'invention concerne des structures silicium sur isolant (SOI) obtenues par la formation d'un isolant monocristallin sur un substrat, isolant sur lequel une couche semiconductrice est ensuite soumise à l'hétéroépitaxie.
Silicon-on-insulator (SOI) structures are provided by forming a single-crystal insulator over a substrate, followed by heteroepitaxy of a semiconductor layer thereover.
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