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silicium sur isolant
Definitie
Vertaling van "silicium sur isolant" in Spaans
Definitie
Tyndall a déjà démontré de façon théorique et expérimentale qu'il était possible de fabriquer des transistors à nanofils en utilisant des substrats silicium sur isolant.
Tyndall ya ha demostrado, tanto en la teoría como en la práctica, que es posible fabricar transistores de nanoalambre con sustratos de silicio sobre aislante.
Le collage des wafers dans l'industrie micro-électronique est utilisé pour la fabrication de microsystèmes et de matériaux de silicium sur isolant.
La unión de obleas en la industria de la microelectrónica se usa para la fabricación de microsistemas y materiales de silicio sobre aislante.
Au cours du projet sur quatre ans qui s'est terminé en 2008, ils ont développé de nouveaux concepts de plate-forme d'intégration hybride de silicium sur isolant (SOI) pouvant assurer des fonctions optiques, optoélectroniques et électroniques.
Hasta 2008 y durante los cuatro años que duró el proyecto desarrollaron nuevos conceptos de plataforma de integración híbrida de silicio sobre aislante (SOI) capaces de realizar funciones ópticas, optoelectrónicas y electrónicas.
Des techniques de nanolithographie innovantes et de nouveaux substrats SOI (pour silicon-on-insulator, ou silicium sur isolant) ont servi à la fabrication des cantilevers.
Para fabricar las nanopalancas se emplearon técnicas innovadoras de nanolitografía y sustratos novedosos de silicio sobre aislante (SOI).
Les chercheurs utiliseront également le traitement ultra-sophistiqué CMOS silicium sur isolant, une technique de fabrication de semi-conducteur qui améliore les performances en réduisant les fuites de courant électrique vers les autres parties du circuit.
Los investigadores también utilizarán el procesamiento CMOS de silicio sobre aislante (SOI), una técnica de última generación para la fabricación de semiconductores que mejora el rendimiento al reducir las pérdidas de corriente eléctrica hacia zonas adyacentes del circuito.
L'exploitation d'une nouvelle technologie de silicium sur isolant (SOI, pour silicon-on-insulator) peut offrir la solution.
La nueva tecnología de silicio sobre aislante (SOI) podría aportar una solución.
Ils ont d'abord fabriqué des guides d'ondes sur une galette de silicium sur isolant (SOI), puis l'ont fusionnée avec une galette de semi-conducteurs III-V réalisée par épitaxie.
Las guías de ondas de silicio se fabricaron por primera vez sobre una oblea de silicio sobre aislante que, después, se fundió con una oblea de semiconductor epitaxial III-V.
La technologie proposé par le projet SASEM s'appuie sur l'utilisation d'arsenic (As) pour créer un profil gaussien d'impuretés dans la couche active d'une pastille à silicium sur isolant (SOI).
La tecnología propuesta por el proyecto SASEM se basa en la implantación de arsénico (As) para crear un perfil gaussiano de impurezas en la capa activa de un disco de silicio sobre aislante.
Le prototype d'ADC a été fabriqué selon un procédé CMOS silicium sur isolant de 32 nanomètres sur une surface de seulement 22×70 µm.
El prototipo de ADC se fabricó en un proceso CMOS de silicio sobre aislante de 32 nanómetros en un área de solo 22×70 μm.
Pour un FinFET de type silicium sur isolant (SOI), le fait de réduire la longueur de la porte de 12,8 à 8,1 nanomètres augmente de 64 % le courant ON.
Cuando se redujo la escala de la longitud de la entrada del FinFET de silicio sobre aislante (SOI) de 12,8 a 8,1 nanómetros, se observó un aumento de la corriente activa de un 64 %.
Pour concevoir des circuits intégrés, on peut choisir entre trois types de transistors: classiques planaires massifs et à effet de champ, (FET), silicium sur isolant «complètement déplété» (FD-SOI), et FinFET.
Al diseñar circuitos integrados, pueden seleccionarse tres tipos de transitores: los transitores de efecto de campo (FET) planares mayoritarios tradicionales, el silicio sobre aislante completamente sin carga (FD-SOI) y los FinFET.
En vue de réduire la densité des défauts, le projet FLASiC a développé un nouveau procédé pour la production de 3C-SiC en vrac et épitaxial sur des substrats de Si ou silicium sur isolant (SSI).
Con el fin de reducir la densidad de los defectos, el proyecto FLASiC desarrolló un nuevo proceso para producir 3C-SiC epitaxial y en grandes cantidades en sustratos de Si o silicio sobre aislante (SOI).
Le projet SODAMOS a conçu, optimisé et fabriqué un ensemble de transistors MOS à faible barrière Schottky sur un film SOI (silicium sur isolant) en vue de résoudre les problèmes critiques liés à l'architecture source/drain.
El proyecto SODAMOS diseñó, optimizó y fabricó una serie de MOSFET de barreras Schottky bajas en Silicio sobre Aislante (SOI) para resolver los problemas fundamentales asociados a la arquitectura de fuente/drenaje.
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Synoniemen voor silicium sur isolant in het Frans
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