Vertaling van "flash NAND" in Duits
We konden deze vermelding niet vinden. Er worden benaderende resultaten weergegeven. Controleer je spelling of stel voor deze term aan het woordenboek toe te voegen.
Istnieją znaczące różnice między korporacyjnymi i klienckimi dyskami SSD dotyczące m.in. trwałości pamięci flash NAND w zakresie cykli programowania/kasowania oraz implementacji złożonych technik zarządzania dostosowanych do różnych obciążeń.
Die Unterschiede zwischen SSDs der Enterprise-Klasse und der Client-Klasse sind beträchtlich und reichen von der Lebensdauer der Programmier- und Löschzyklen ihrer NAND-Flashspeicher bis zu ihren komplexen Verwaltungstechniken, die für ihre Eignung für die Workloads der unterschiedlichen Anwendungsklassen wichtig sind.
W zależności od klasy i pojemności dysku SSD może być przydzielana większa rezerwowa pojemność pamięci flash NAND, która będzie pełnić funkcję zapasowych bloków pamięci (OP).
Je nach Anwendungsklasse und Kapazität der SSD kann auch eine erhöhte Reservekapazität des NAND-Flashspeichers als überdimensionierte (OP) Reservekapazität zugeordnet werden.
Wdrożenie zaawansowanej pamięci flash NAND 3D, dało Ultimate SU800 dodatkową pojemność, większą wydajność oraz zabezpieczenie przed trudnymi warunkami przy lepszym niż kiedykolwiek współczynniku ceny do wydajności.
Mit dem modernen 3D NAND Flash bietet die Ultimate SU800 höhere Speicherkapazitäten, bessere Effizienz und eine robuste Zuverlässigkeit mit einem noch nie da gewesenen Preis-Leistungsverhältnis.
Ceny Flash NAND styczeń 2016 - teraźniejszość
Trwałość w zakresie programowania/kasowania danej pamięci flash NAND może znacząco się różnić, w zależności od procesu wytwarzania litograficznego oraz typu produkowanej pamięci flash NAND.
Die P/E-Lebensdauer eines bestimmten NAND-Flashspeichers kann wesentlich unterschiedlich sein, je nach derzeitigem lithografischem Herstellungsverfahren und nach Typ des hergestellten NAND-Flashes.
Możliwość niezawodnego przechowywania bitów danych w pamięci flash NAND, która jest używana w urządzeniach pamięci masowej flash, maleje z każdym cyklem programowania/kasowania (P/E) komórki pamięci flash NAND, aż do momentu, gdy bloki pamięci flash NAND nie są już w stanie niezawodnie przechowywać danych.
Ausdauer Bei allen NAND-Flashspeichern in Flash-Speichergeräten nimmt die Zuverlässigkeit, Datenbits zu speichern, mit jedem Programm- oder Löschzyklus (P/E) einer NAND-Flashspeicherzelle ab, bis die NAND-Flashblöcke Daten nicht mehr zuverlässig speichern können.
Wtedy należy taki uszkodzony blok usunąć z puli pamięci dostępnej dla użytkownika, a jego adres logiczny (LBA) przypisać do nowego adresu fizycznego w macierzy pamięci masowej flash NAND.
An dieser Stelle wird ein verschlechterter oder schwacher Block vom von Anwendern adressierbaren Speicherpool und der logischen Blockadresse (oder LBA) auf eine neue physische Adresse im NAND-Flashspeicher-Array verschoben.
Na początku rozważań na temat różnic między klasami dysków SSD należy rozróżnić dwa kluczowe komponenty dysku SSD, czyli kontroler pamięci masowej flash (zwany w uproszczeniu "kontrolerem dysku SSD") oraz nieulotną pamięć flash NAND służącą do przechowywania danych.
Zur Verdeutlichung der Unterschiede zwischen den einzelnen SSD-Klassen müssen wir zunächst zwischen den beiden Schlüsselkomponenten eines SSD, dem Flash Storage Controller und dem zum Speichern von Daten verwendeten nicht-volatilen NAND-Flashspeicher, unterscheiden.
W trakcie procesu produkcji pamięci flash NAND każdy segment pamięci flash NAND wycinany z płytki krzemowej jest testowany i opisywany za pomocą współczynnika błędów bitów (BER lub RBER).
Jeder NAND-Flash-Die wird während des Herstellungsprozesses eines NAND-Flashspeichers von Silizium-Wafers getestet und mit einer Bit-Rohfehlerrate (BER oder RBER) gekennzeichnet.
Wydajność Dyski SSD mogą oferować niesamowicie wysoką wydajność zapisu i odczytu, zarówno sekwencyjnego, jak i losowego, dzięki wykorzystaniu wielokanałowej architektury i równoległego dostępu kontrolera dysku SSD do układów pamięci flash NAND.
Durch den Einsatz von Multi-Channel-Architektur und Parallelzugriff vom SSD Controller auf die NAND-Flash-Chips können SSDs unglaublich hohe Lese- und Schreibgeschwindigkeiten, sowohl bei sequenziellen als auch bei zufälligen Datenabfragen der CPU, erreichen.
Jeśli dysk SSD nie działa prawidłowo, co uniemożliwia przeprowadzenie operacji ATA Secure Erase, zostaje on rozmontowany, a pamięć flash NAND - zniszczona.
Wenn die SSD sich nicht in einem funktionstüchtigen Zustand befindet und kein ATA Secure Erase durchgeführt werden kann, wird die SSD zerlegt, und das NAND-Flash Memory wird zerstört.
Powodem jest to, że w czerwcu pięć fabryk flash NAND firmy Toshiba w japońskim mieście Yokkaichi uległo awarii zasilania.
Der Grund dafür ist, dass Toshibas fünf NAND-Flash-Fabs im japanischen Yokkaichi im Juni einen Stromausfall hatten.
Seria SSD Data Center P3700 dla PCIe opiera się na opracowanym przez firmę Intel sterowniku, oprogramowaniu sprzętowym i wiodących procesach produkcji pamięci flash NAND.
Die SSD Data Center P3700 Serie für PCIe-Geräte basiert auf von Intel entwickelten Controller-, Firmware- und führenden Fertigungsprozessen für NAND-Flash-Speichertechnologie.
