Se aprecia cómo el mayor valor de corriente se alcanza justo en la capa donde se encuentra el gas de electrones bidimensional, obteniéndose valores comparables con diseños reportados por otros autores y demostrándose así la valía del modelo implementado en DESSIS.
The largest current value only occurred in the layer where the two-dimensional electron gas was. The values obtained were comparable with those reported by other authors. The good performance of a model implemented in DESSIS would thus seem to have been demonstrated.
A fin de investigar si los resultados anteriores son similares para un gas de electrones bidimensional (2DEG), en el capítulo 3 consideramos un sistema como el del capítulo 2 reemplazando el grafeno por un 2DEG.
In order to investigate whether the previous results are similar for a semiconductor heterostructure two-dimensional electron gas (2DEG), in Chapter 3 we consider a spin-orbit-coupled 2DEG under the influence of a thermal gradient externally applied to two attached reservoirs.
El efecto resultante es la creación de una capa sumamente fina llamada gas de electrones bidimensional, con mucha concentración de electrones conductores con altísima movilidad, dando al canal una muy baja resistividad.
The resultant effect is the formation of a very thin layer called two-dimension electron gas, having a great electron concentration and high carrier mobility, giving the channel very low resistivity.
El efecto resultante es la creación de una capa muy fina y con mucha concentración de electrones conductores con muy alta movilidad, dando al canal una muy baja resistividad. Esta capa se la llama gas de electrones bidimensional.
The effect of this is to create a very thin layer of highly mobile conducting electrons with very high concentration, giving the channel very low resistivity (or to put it another way, "high electron mobility").
Un incremento de esta x en el AlGaAs incrementa la energía del gap de este compuesto, provocando un incremento en el confinamiento de electrones en la región del gas de electrones bidimensional.
Increased x value in AlGaAs increases this compound's band-gap, causing a growth in the number of electrons confined in the two-dimension electron gas.
En los HEMT, como en todos los transistores de efecto de campo, la tensión aplicada a la compuerta del transistor modifica la conductividad de la capa resultante de la formación del gas de electrones bidimensional.
In HEMTs, as in any FET transistor, gate voltage causes changes in conductivity in the two-dimension electron gas.
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Synoniemen voor electrones bidimensional in het Spaans
