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dynamic random access memory
Vertaling van "dynamic random access memory" in Frans
Dynamic Random Access Memory
Memorias DRAM (Dynamic Random Access Memory)
Mémoire vive dynamique (DRAM)
Para entender exactamente cómo aumenta el consumo energético en servidores de generaciones más nuevas que usan la tecnologías DRAM (Dynamic Random Access Memory) y DDR3, se han recogido los resultados siguientes para su posterior análisis.
L'analyse des résultats suivants aide à comprendre avec précision la consommation d'énergie sur les serveurs de nouvelle génération DRAM (Dynamic Random Access Memory) DDR3. Énergie consommée par rangée de mémoire
La Memoria de Acceso Aleatorio Dinámico (Dynamic Random Access Memory), o DRAM como se la conoce normalmente, es el tipo más común de memoria que utilizan los ordenadores de hoy en día.
Dynamic Random Access Memory ou DRAM comme elle est plus couramment connue est le type de mémoire le plus commun qui est utilisé dans les ordinateurs d'aujourd'hui.
Según Portugal, la inversión se refiere a la producción de memorias DRAM (Dynamic Random Access Memory).
Selon le Portugal, l'investissement concerne la fabrication de mémoires DRAM (Dynamic Random Access Memory).
Se dispone de DIMMs (módulos de memoria dual en línea) con la tecnología DDR3 SDRAM (Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory) en diferentes capacidades y velocidades.
Les modules de mémoire DIMM (double module de mémoire en ligne) DDR3 SDRAM (mémoire à accès direct synchrone à débit de données double de troisième génération) sont disponibles dans différentes capacités et débits.
Infineon Portugal es una unidad de producción "back-end", que se dedica al montaje, ensayo final y envase de memorias DRAM (Dynamic Random Access Memory) de 64 Mb, 128 Mb y 265 Mb.
C'est une unité de fabrication finale (back-end) qui assure l'assemblage, les essais finaux et le conditionnement de mémoires DRAM (Dynamic Random Access Memory) de 64Mb, 128Mb et 265Mb.
XDR DRAM (eXtreme Data Rate Dynamic Random Access Memory) es una implementación de alto desempeño de las DRAM, el sucesor de las memorias Rambus RDRAM y un competidor oficial de las tecnologías DDR2 SDRAM y GDDR4.
La XDR DRAM est un type de barrette mémoire vive (RAM) de type RDRAM améliorée et basée sur la technique Rambus, concurrente des techniques DDR SDRAM, DDR2-SDRAM et DDR3 SDRAM.
En febrero de 1983, el fundador de Samsung, Lee Byung-chul hizo un anuncio que "hizo época", conocido como "la declaración de Tokio", afirmando que su compañía entraría en el negocio de la DRAM (Dynamic Random Access Memory).
En février 1983, le fondateur de Samsung, Lee Byung-chul, fait une annonce plus tard surnommée la déclaration de Tokyo, dans laquelle il déclare que Samsung se destine à devenir un vendeur de mémoire DRAM.
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