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AlGaAs
Vertaling van "AlGaAs" in Engels
Rauscharmer Verstärker nach Anspruch 5, bei welchem das halbisolierende Substrat AlGaAs ist.
A low noise amplifier according to claim 5, wherein the semi-insulating substrate is AlGaAs.
Verfahren nach Anspruch 4, bei dem sowohl die untere als auch die obere Sperrschicht aus AlGaAs besteht.
A method according to claim 4, wherein each of the lower and the upper barrier layers comprises AlGaAs.
Laser nach Anspruch 1 bis 36, der auf dem Legierungssystem AlGaAs beruht.
A laser device as claimed in any one of claims 1 to 36, based on the alloy system AlGaAs.
Laserbauteil nach einem der Ansprüche 1 bis L9, dadurch gekennzeichnet, dass es auf dem Legierungssystem AlGaAs beruht.
A laser device as claimed in any one of clams 1 to 19, characterised by being based on the alloy system AlGaAs.
Photonik-Bauelement für eine lange Wellenlänge nach Anspruch 9, wobei zumindest eine der Schichten aus AlGaAs eine ringförmige Oxidregion enthält, die eine Stromeinschlussstruktur bereitstellt.
The long-wavelength photonic device of claim 9, in which at least one of the layers of AlGaAs includes an annular oxide region providing a current confinement structure.
DFB-Halbleiter-Laserdiode (10) nach Anspruch 1, bei der das Halbleiter-Materialsystem AlGaAs ist.
The distributed-feedback semiconductor laser diode (10) of claim 1 in which the semiconductor material system is AlGaAs.
Halbleitervorrichtung nach Anspruch 3, wobei die Kathodensperrschicht (15, 29, 45) aus eigenleitendem AlGaAs gebildet ist.
The semiconductor device as claimed in claim 3, wherein said cathode barrier layer (15, 29, 45) is made of intrinsic AlGaAs.
Transistor nach Anspruch 1 oder 2, bei welchem die ersten (110) und die zweiten (130) Tunnelbarrieren aus AlGaAs bestehen.
A transistor as claimed in claim 1 or 2, wherein said first (110) and said second (130) tunnel barriers comprise AlGaAs.
Feldeffekt-Halbleitergerät nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleiterschichten (45a, 45b, 45c, 65a, 65b, 65c), die die Sperrschichtstruktur (45, 65) bilden, jede aus AlGaAs bestehen.
A field-effect semiconductor device according to any one of the claims 1 to 3, characterized in that the semiconductor layers (45a, 45b, 45c, 65a, 65b, 65c) forming the barrier structure (45, 65) are each composed of AlGaAs.
Verfahren nach Anspruch 33, wobei eine oberste Schicht des oberen Spiegels (134,202) AlGaAs ist.
A method according to claim 33, wherein a top layer of the top mirror (134,202) is AlGaAs.
Photonik-Bauelement für eine lange Wellenlänge nach einem der vorangehenden Ansprüche, das zusätzlich Spiegelschichten (330,332) aufweist, wobei zumindest alternierende der Spiegelschichten (330,332) Schichten aus AlGaAs sind.
The long-wavelength photonic device of one of the preceding claims, additionally comprising mirror layers (330,332), at least alternate ones of the mirror layers (330,332) being layers of AlGaAs.
Halbleiter nach Anspruch 3, der ferner einen Ohm'schen Kontakt (32, 34) auf der Schicht (20) aus undotiertem AlGaAs (20) im Bereich des wenigstens einen Ionenimplantats (28) aufweist.
The semiconductor of claim 3 further comprising an ohmic contact (32, 34) on said layer (20) of undoped AlGaAs in an area of said at least one ion implant (28).
Verfahren zur Herstellung eines Heterostruktur-Lasers nach Anspruch 1 oder 2, wobei die zweite Epitaxialschicht (6) aus AlGaAs besteht.
A process for fabricating a heterostructure laser as set forth in claim 1 or 2, wherein said second epitaxial layer (6) is AlGaAs.
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Synoniemen voor AlGaAs in het Duits
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