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AlGaAs

Vertaling van "AlGaAs" in Duits

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AlGaAs
A low noise amplifier according to claim 5, wherein the semi-insulating substrate is AlGaAs.
Rauscharmer Verstärker nach Anspruch 5, bei welchem das halbisolierende Substrat AlGaAs ist.
An optical amplifier as claimed in claim 2, in which the diode laser is an AlGaAs laser.
Optischer Verstärker nach Anspruch 2, in dem der Diodenlaser ein AlGaAs-Laser ist.
The semiconductor laser device of claim 1 wherein said multiquantum barrier comprises AlGaAs system material.
Halbleiterlaservorrichtung nach Anspruch 1, bei der die Mehrfachquantenbarriere AlGaAs-Systemmaterial enthält.
The semiconductive light emission system as defined in claim 1, the semiconductor being constituted of an AlGaAs material.
Lichtemittierendes Halbleitersystem nach Anspruch 1, dessen Halbleiter aus AlGaAs- Material besteht.
A method according to claim 4, wherein each of the lower and the upper barrier layers comprises AlGaAs.
Verfahren nach Anspruch 4, bei dem sowohl die untere als auch die obere Sperrschicht aus AlGaAs besteht.
A laser device as claimed in any one of claims 1 to 36, based on the alloy system AlGaAs.
Laser nach Anspruch 1 bis 36, der auf dem Legierungssystem AlGaAs beruht.
The quantum well laser of claim 1, wherein said first injection layer is an AlGaAs alloy.
Quantenwannen-Laser nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Injektionsschicht eine AlGaAs-Legierung aufweist.
The long-wavelength photonic device of claim 9, in which at least one of the layers of AlGaAs includes an annular oxide region providing a current confinement structure.
Photonik-Bauelement für eine lange Wellenlänge nach Anspruch 9, wobei zumindest eine der Schichten aus AlGaAs eine ringförmige Oxidregion enthält, die eine Stromeinschlussstruktur bereitstellt.
The distributed-feedback semiconductor laser diode (10) of claim 1 in which the semiconductor material system is AlGaAs.
DFB-Halbleiter-Laserdiode (10) nach Anspruch 1, bei der das Halbleiter-Materialsystem AlGaAs ist.
The semiconductor device as claimed in claim 3, wherein said cathode barrier layer (15, 29, 45) is made of intrinsic AlGaAs.
Halbleitervorrichtung nach Anspruch 3, wobei die Kathodensperrschicht (15, 29, 45) aus eigenleitendem AlGaAs gebildet ist.
A transistor as claimed in claim 1 or 2, wherein said first (110) and said second (130) tunnel barriers comprise AlGaAs.
Transistor nach Anspruch 1 oder 2, bei welchem die ersten (110) und die zweiten (130) Tunnelbarrieren aus AlGaAs bestehen.
A method according to claim 33, wherein a top layer of the top mirror (134,202) is AlGaAs.
Verfahren nach Anspruch 33, wobei eine oberste Schicht des oberen Spiegels (134,202) AlGaAs ist.
A laser device as claimed in any one of clams 1 to 19, characterised by being based on the alloy system AlGaAs.
Laserbauteil nach einem der Ansprüche 1 bis L9, dadurch gekennzeichnet, dass es auf dem Legierungssystem AlGaAs beruht.
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Synoniemen voor AlGaAs in het Engels

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scouring pad: small abrasive pad for scouring pots and pans
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