Vertaling van "Ausdiffusion" in Engels
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Source-Gebiet (13) und Drain-Gebiet (14) werden insbesondere durch Ausdiffusion aus einer dotierten Glasschicht (12) gebildet.
Source region (13) and drain region (14) are formed, in particular, by outdiffusion from a doped glass layer (12).
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei die thermische Oxidation so gesteuert ist, dass eine Ausdiffusion von 100 nm in die Silizium-Bauelemente-Schichtbereiche (42) stattfindet.
The method of any of claims 1 to 7, wherein said thermal oxidizing step is controlled to provide an outdiffusion of 100 nm into said silicon device layer portions (42).
Dieses Dotierungsgebiet (44) ist durch Ionenimplantation und anschließende Ausdiffusion einzelner Teilgebiete (24, 26, 28) gebildet.
This doping area (44) is formed by ion implantation and subsequent outward diffusion of individual partial areas (24, 26, 28).
Das zweite Teilgebiet (26; 28) weist eine Abmessung und einen Abstand zum ersten Teilgebiet (24) auf, die beide kleiner sind als die Eindringtiefe der Ausdiffusion in das Substrat (10).
The second partial area (26; 28) has a dimension and is at a distance from the first partial area (24) which are both smaller than the penetration depth of the outward diffusion into the substrate (10).
Durch Ausdiffusion aus der dotierten Siliziumstruktur werden dem Graben benachbarte Diffusionsgebiete (11) und durch Aufoxidation der dotierten Siliziumstruktur eine Isolationsstruktur (9) im Graben erzeugt.
By diffusion out from the doped silicon structure diffusion regions (11) neighbouring the trench are produced and an insulating structure (9) is produced in the trench by autoxidation of the doped silicon structure.
Durch Versehen der Seitenwände des Grabens mit einer Dotierstoff enthaltenden Belegungsschicht und Ausdiffusion aus der Belegungsschicht werden dem Graben benachbarte Diffusionsgebiete (8) erzeugt.
By providing the side walls of the trench with a dopant-containing cover layer and diffusion out from the cover layer, diffusion regions (8) neighbouring the trench are produced.
Das erste Teilgebiet (24) weist eine Abmessung in Drain-Gate-Erstreckung auf, die wesentlich größer ist als die Eindringtiefe der Ausdiffusion in das Substrat (10).
In the extension of the drain gate the first partial area (24) has a dimension which is substantially larger than the penetration depth of the outward diffusion into the substrate (10).
Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet , daß das polykristalline Silizium (20) dotiert wird und das die erste leitende Schicht bildende Polysilizium (21) undotiert abgeschieden wird und durch Ausdiffusion aus dem unterliegenden polykristallinen Silizium (20) dotiert wird.
Method according to Claim 18, characterized in that the polycrystalline silicon (20) is doped and the polysilicon (21) forming the first conducting layer is deposited undoped, and is doped by diffusion out of the polycrystalline silicon (20) lying underneath.
Verfahren nach Anspruch 7, bei dem die Ausdiffusion aus der dotierten Siliziumschicht (8) so erfolgt, daß die dotierte Siliziumschicht gleichzeitig aufoxidiert wird.
Method according to Claim 7, in which the outdiffusion from the doped silicon layer (8) is carried out in such a way that the doped silicon layer is simultaneously oxidized.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem vor der Ausdiffusion zur Bildung der Source/Drain-Gebiete (9) und der Gateelektrode (10) eine ganzflächige Implantation mit F, Ar, Xe oder Si durchgeführt wird.
Method according to one of Claims 1 to 5, in which whole-area implantation with F, Ar, Xe or Si is carried out prior to the outdiffusion for the purpose of forming the source/drain regions (9) and the gate electrode (10).
Dazu werden für einen Informationszustand durch gewinkelte Implantation oder Ausdiffusion im oberen Bereich des Kanalbereichs Dotierstoffgebiete gebildet.
Dopant regions are formed for an information state by angular implantation or diffusion in the upper part of the channel region.
Herstellungsverfahren einer Halbleitervorrichtung zur Verhinderung die Ausdiffusion von Kohlenstoff aus einer Halbleiterscheibe
Semiconductor device fabrication methods for inhibiting carbon out-diffusion from the semiconductor wafer
Weitere Vorteile bestehen darin, dass Fehlfunktionen des Sensors wie beispielsweise die Blockade des optischen Weges, Ausdiffusion von Referenzgas oder ähnliches sicher erkennbar sind.
Other advantages are that a malfunction of the sensor such as the blockade of the optical path, diffusion of reference gas or the like safely identifiable.
