Vertaling van "Basisregion" in Engels
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Halbleitervorrichtung nach Anspruch 28, bei der die externe Basisregion die Emitterschicht umgibt.
A semiconductor device according to claim 28, wherein said external base region surrounds said emitter layer.
Monolithische Komponente nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der mit Hochspannung gesteuerte Schalter ein lateraler Transistor ist, dessen Basisregion direkt mit dem Isolationswall verbunden ist.
A monolithic component according to claim 1, wherein the high voltage controlled switch is a lateral transistor having a base region that is directly connected to the insulating wall.
Mikroinjektionsnadel nach Anspruch 18, wobei die Leitung von der Basisregion der Nadel zur Spitze der Nadel verläuft.
A microneedle according to claim 18 in which the duct extends from the base region of the needle to the tip of the needle.
Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der leitfähige Film, der teilweise auf der ersten und zweiten Region ausgebildet ist durch den isolierenden Film (13) hindurch mit der Basisregion elektrisch verbunden ist.
A device according to claim 2 characterized in that said conductive film partially formed on said first and second regions through said insulating film is electrically connected to said base region.
Körper (100) für eine Düsenanordnung nach Anspruch 17, bei welchem die Pfosten verjüngt sind, indem sie von einer Basisregion zu einer Spitzenregion schmaler werden.
A body (100) for a nozzle arrangement as claimed in claim 17, in which the posts are tapered, narrowing from a base region to a tip region.
Dynamischer Direktzugriffsspeicher nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei jeder der Schalttransistoren ein Vertikaltransistor ist und der Kanal jedes Transistors entlang einer Seitenwand eines anderen der vier Vertikalgrabenkondensatoren in der gemeinsamen Basisregion ausgebildet ist.
The dynamic random access memory of one of claims 1 to 5, wherein each of the switch transistors is a vertical transistor and the channel of each transistor is formed along a sidewall of a different one of the four vertical trench capacitors in the common base region.
Optische Vorrichtung nach Anspruch 2, 4 oder 3, abhängig vom Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Bandlücke der Basisregion des oder jedes Fototransistors kleiner ist als die Bandlücke der Basis des parasitären Transistors.
An optical device as claimed in claim 2, claim 4 or claim 3 as dependent on claim 2 wherein the bandgap of the base region of the or each said phototransistor is less than the bandgap of the base of said parasitic transistor.
Verfahren nach Anspruch 3, bei dem der Schritt des Dotierens des Polysiliciums mit einem Dotierungsmittel des zweiten Leitfähigkeitstyps eine Nettodotierungskonzentration in der Basisregion von zwischen etwa 1 x 10 17/cm 3 und 2 x 10 18/cm 3 erzeugt.
The method as recited in claim 3 wherein said steps of doping said polysilicon with a dopant of a second conductivity type provides a net dopant concentration in said base region of between about 1x10 17/cm 3 and 2x10 18/cm 3.
Struktur nach Anspruch 1, bei welcher die erste Region (152) eine Basisregion eines Bipolar-Transistors und die zweite Region eine Kollektorregion des Transistors ist, und der Diodenübergang (148) der Basis-Kollektor Übergang des Transistors ist.
The structure of claim 1, wherein the first region (152) is a base region of a bipolar transistor and the second region is a collector region of said transistor, and the diode junction (148) is the base-collector junction of said transistor.
Halbleitervorrichtung nach Anspruch 28, ferner mit einer auf der externen Basisregion ausgebildeten ohmschen Kontaktelektrode.
A semiconductor device according to claim 28, further comprising an ohmic contact electrode formed on said external base region.
Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Region so ausgebildet ist, daß sie die auf der einen Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats ausgebildete Basisregion umgibt, und daß die zweite Region von der ersten Region im bestand angeordnet ist und die erste Region umgibt.
A device according to claim 2, characterized in that said first region is formed to surround said base region formed on said one major surface of said semiconductor substrate, and said second region is spaced apart from said first region and surrounds said first region.
Transistor nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei jede Emitterregion einen ersten Teil (240), der in der oder einer Basisregion ausgebildet ist, und einen zweiten Teil (220) in direktem Kontakt mit dem ersten Teil (240), aufweist.
A transistor according to any preceding claim in which each emitter region comprises a first portion (240) formed in the or a base region and a second portion (220) in direct contact with the first portion (240).
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren zur Herstellung eines Bipolartransistors mit Polysiliziumemitter wird zuerst eine Kollektorregion (12) eines ersten Leitfähigkeitstyps und daran angrenzend eine Basisregion (14) eines zweiten Leitfähigkeitstyps erzeugt.
The invention relates to a method for producing a bipolar transistor comprising a polysilicon emitter, according to which a collector region (12) of a first conductivity type and an adjacent base region (14) of a second conductivity type are created.