Lateral transistor having graded base region, semiconductor intergrated circuit and fabrication method thereof
Lateraler Transistor mit gradierter Basiszone, integrierter Halbleiterschaltkreis und diesbezügliches Herstellungsverfahren
Heterojunction bipolar transistor having an emitter region with a band gap greater than that of a base region.
Bipolarer Heteroübergangstransistor mit einer Emitterzone deren Bandabstand grösser ist als der einer Basiszone.
Furthermore, it is disadvantageous in this application in the machining of the thread that the long-term strength of the connection sleeve is considerably impaired due to the notch effect in the base region of the thread turns.
Weiterhin ist bei der zerspanenden Fertigung der Gewinde in diesem Anwen- dungsfall von Nachteil, daß aufgrund der Kerbwirkung im Grundbereich der Gewindegänge die Dauerfestigkeit der Verbindungsmuffe erheblich beeinträchtigt wird.
Bipolar transistor having an implanted extrinsic base region.
Bipolarer Transistor mit einem implantierten extrinsischen Basisbereich.
A heterojunction bipolar transistor having a base region of germanium.
Bipolarer Heteroübergangstransistor mit einem Basisbereich aus Germanium.
Gate layout of a transistor with common base region
Gate-Anordnung für einen Transistor mit gemeinsamer Basiszone
In this saturation region, there is an excessive number of holes, which then exit through the base terminal from the base region.
In diesem Sättigungsbereich gibt es einen Überschuss an Löchern, die dann durch den Basisanschluss aus dem Basisbereich austreten.
With appropriate layout (i.e., large base region), the beta can be kept small enough to minimize undesired discharge currents.
Mit einem geeigneten Layout (das heißt einem großen Basisbereich) kann der Beta-Wert klein genug gehalten werden, um unerwünschte Entladeströme zu minimieren.
A method for forming a bipolar transistor comprising a base region, manufactured according to claim 1.
Verfahren zur Bildung eines bipolaren Transistors, der eine Basiszone aufweist, die nach Anspruch 1 hergestellt wurde.
The transistor structure of claim 3 wherein said base region has a depth of at least five microns.
Transistorstruktur nach Anspruch 3, bei der die genannte Basiszone eine Tiefe von wenigstens fünf Mikron hat.
The second base region can include a voltage pick-up zone (3).
Die zweite Basiszone kann eine Teilzone (3) aufweisen, die zur Aufnahme der Spannung dient.
The apparatus according to any one of the preceding claims arranged such that liquid in said base region only contains levels of dissolved oxygen suitable for de-nitrification of the liquid.
Vorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche, die so ausgelegt ist, daß Flüssigkeit in dem Basisbereich nur Pegel an gelöstem Sauerstoff enthält, die zur Denitrifikation der Flüssigkeit geeignet sind.
The heterojunction transistor of claim 2 wherein said bandgap of said base region is graded.
Der Transistor mit Heteroübergang nach Anspruch 2, bei dem der genannte Bandabstand des genannten Basisbereichs graduiert ist.