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diffusion regions
Speicher auf einem Halbleitersubstrat nach Anspruch 1, wobei die ersten und zweiten Diffusionsbereiche bezüglich der ersten bzw. zweiten Seiten des Floating Gate ausgerichtet sind und sich vertikal in das Halbleitersubstrat hinein erstrecken.
The memory on a semiconductor substrate of claim 1, wherein the first and second diffusion regions are aligned with respect to said first and second sides, respectively, of said floating gate, and extend vertically into the semiconductor substrate.
Integrierter Schaltkreismodul nach Anspruch 24, wobei die lokalen Bitleitungen (121,123) und die lokale Sourceleitung (122) in der Mehrzahl von Segmenten eingegrabene Diffusionsbereiche in dem Halbleitersubstrat aufweisen.
The integrated circuit module of claim 24, wherein the local bit lines (121,123) and the local source line (122) in the plurality of segments comprise buried diffusion regions in the semiconductor substrate.
Speicherzelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Kanalbereich des Substrats (10) durch erste und zweite Diffusionsbereiche (14, 18) festgelegt ist, die in dem Substrat (10) ausgebildet sind.
Storage cell in accordance with claim 1, characterized in that said channel region of the substrate (10) is defined by first and second diffusion regions (14, 18) formed in said substrate (10).
Integrierte Halbleitervorrichtung nach Anspruch 7, wobei jedes Paar von wechselseitig benachbarten Halbleiterblöcken (11) seine Diffusionsbereiche (4) auf wechselseitig entgegengesetzten Seiten der im Wesentlichen linearen Anordnung hat.
The semiconductor integrated device of claim 7, wherein each pair of mutually adjacent semiconductor blocks (11) have their diffusion regions (4) on mutually opposite sides of the substantially linear array.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Substratpositionen (26, 28, 30) innerhalb des Substrats (22) aufgenommene Diffusionsbereiche (27, 29,31) aufweisen.
The method of claim 1, wherein the substrate locations (26, 28, 30) comprise diffusion regions (27, 29, 31) received within the substrate (22).
Speicher auf einem Halbleitersubstrat nach Anspruch 3, wobei: das dielektrische Schutzmaskenmaterial Siliciumnitrid aufweist; das Dielektrikum Siliciumoxid aufweist; die ersten und die zweiten Diffusionsbereiche eine n-Typ-Leitfähigkeit haben; und das Floating Gate Polysilicium aufweist.
The memory on a semiconductor substrate of claim 3, wherein; said inhibit mask dielectric material comprises silicon nitride; said dielectric comprises silicon oxide; said first and said second diffusion regions have an n-type conductivity; and said floating gate comprises polysilicon.
Integrierte Schaltung nach Anspruch 3 und 4, dadurch gekennzeichnet, daß sich die Diffusionsbereiche des zweiten Leitfähigkeitstyps (p-Feld) auf die Kante des Feldoxids (Feld-OX) selbst ausrichten.
An integrated circuit as defined in claim 3 and 4, and characterized in that said diffusion regions of said second type of conductivity (p-field) are self-aligned to the edge of said field oxide (FIELD OX).
Prozeß nach Anspruch 1, bei dem die ersten und zweiten Diffusionsbereiche sich weniger als 0.5 Mikrometer in das Substrat erstrecken.
The process as recited in Claim 1, wherein said first and second diffusion regions extend less than 0.5 micrmeter into said substrate.
Speicher nach Anspruch 1, bei dem die Diffusionsbereiche der ersten und zweiten Kondensatoren und die Diffusionsbereiche der dritten und vierten Kondensatoren durch erste bzw. zweite Isolationsschichten getrennt werden.
Memory as set forth in claim 1 wherein the diffusion regions of said first and second capacitors and the diffusion regions of said third and fourth capacitors are separated by first and second layers of insulation, respectively.
Verfahren zur Herstellung einer Kontaktstruktur ohne Einfassung für Diffusionsbereiche.
Method of making a borderless diffusion contact structure.
Schichtstoff nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem der lichtdurchlässige Träger oder die lichtdurchlässigen Träger Diffusionsbereiche hat bzw. haben.
A laminate, according to any of the preceding claims, wherein the light-transmissive base or bases has or have diffusion regions.
Halbleitervorrichtung nach einem vorhergehenden Anspruch, wobei der erste Diffusionsbereich (17), der zweite Diffusionsbereich (15) und der dritte Diffusionsbereich (19) einlagige Diffusionsbereiche eines zweiten Leitfähigkeitstyps sind.
The semiconductor apparatus as claimed in any preceding claim, wherein said first diffusion region (17), said second diffusion region (15), and said third diffusion region (19) are single-layered diffusion regions having a second conductivity type.
Leiste nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Schieberegister und die Ladungsinjektions-Vorrichtungen Diffusionsbereiche besitzen, sodaß alle Transfers Volumentransfers sind.
An array according to one of claims 1 to 8, characterized in that the shift registers and the charge injection devices comprise diffusions so that all the transfers are volume transfers.
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